STMicroelectronics BCD技术的演变

发布时间:2019年1月22日
贡献作者:Sinjin Dixon-Warren,PHD

TechInsights对本篇文章中引用的STMicroelectronics BCD9S的全部分析包括在我们的新功率半导体订阅中,它在电力半导体市场中解决了新技术,包括GaN,SiC,Si MOSFET和IGBT器件。

TechInsights一直在2000年开始于2000年开始的STMicroelectronics Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)技术的演变,从2000年进行了一个1999掩模日期的0.8μmBCD装置[1].几年后,2004年,我们分析了STMicroelectronics L6262S(VCM /电机控制器)BCD集成电路,其具有1998掩模日和0.9μm的栅极长度[2]。L6262S,如图1所示,沿着模具边缘的DMOS晶体管的特色块。

STMicroelectronics L6262S BCD工艺模具照片

图1 - STMicroelectronics L6262S BCD工艺模具照片

BCD技术将CMOS逻辑,双扩散MOS晶体管(DMOS),横向扩散MOS晶体管(LDMOS)和双极晶体管集成到单个硅模具中。DMOS和LDMOS晶体管通常用于创建高电压或更高功率输出驱动器晶体管,而双极晶体管提供模拟功能。STMicroelectronics是BCD技术的市场领导者,他们声称在20世纪80年代中期发明[3]。该技术也由其他供应商提供,包括德州仪器,英飞凌,Atmel,Maxim以及TSMC等主要铸造厂。TechInsights有关于许多竞争技术的报道。图2示出了在STMicroelectronics L6262S模具上发现的DMOS晶体管的横截面。

L6262S N-DMOS晶体管

图2 - STMicroelectronics L6262S N-DMOS晶体管

意法半导体目前主要提供三种BCD技术,分别为BCD6、BCD8和BCD9,分别对应0.32µm、0.16µm和0.11µm技术,如图3所示。他们声称有一种90纳米的BCD10技术正在研发中。他们经常在国际功率半导体器件研讨会(ISPSD)上发表有关这些技术的论文。TechInsights有关于意法半导体BCD技术的各种特定版本的报告[1,2,5,6,7,8,9]

STMicroelectronics BCD技术(来源:STMicroelectronics)

图3 - STMicroelectronics BCD Technologies(SICE:STMicroelectronics)

最近,TechInsights采购STMicroelectronics FDA801B-Vyy 4x50 W类D数字输入功率放大器的样品,具有I2C诊断,数字阻抗计和低电压操作[10],其与新的BCD9S技术进行制造[11]。FDA801B-Vyy BCD9S模具的照片伪造于扩散,如图4所示。模拟,逻辑和LDMOS功率晶体管的模具功能块。我们完成了一些初步分析,并与我们对STMicroelectronics BCD技术的分析进行了比较了我们的调查结果。

STMicroelectronics FDA801B-VYY BCD9S流程扩散模具照片

图4 -意法半导体FDA801B-VYY BCD9s工艺扩散模照片

表1介绍了TechInsights Process Analysis Sections的摘要,该系列不同的STMicroelectronics BCD技术。与地区的半导体行业并行,趋势已经朝向较小的特征尺寸,从2000年生产的BCD技术开始为大约1μm。这些早期技术特征在于DMOS晶体管。

BCD6技术在2006年的大约2006年发布,并通过化学机械抛光(CMP)具有三层铝金属的0.35μmCMOS栅极。图5示出了STMicroelectronics ST1S03 BCD6模具的照片。在模具上找到一个大的DMOS开关晶体管。发现了LDMOS晶体管和NPN双极晶体管,并使用硅(LocOS)隔离的局部氧化。图6示出了在ST1S03 BCD6模具上发现的典型LDMOS晶体管的横截面。LDMOS晶体管的关键特性是存在隔离和晶体管栅极和漏极接触之间的漂移区域。栅极延伸在隔离上。这些特征允许LDMOS晶体管支持源之间的较高电压偏压,该源极在接地和漏极之间。通常,掺杂漂移区域在栅极下方延伸,导致晶体管通道短于物理栅极长度。与标准CMOS技术相比,LDMOS晶体管是挑战设计和制造的若干额外的掩模和植入物。

意法半导体ST1S03 BCD6工艺模照片

图5 - STMicroelectronics ST1S03 BCD6工艺模具照片

STMicroelectronics ST1S03 N-LDMOS晶体管

图6 - STMicroelectronics ST1S03 N-LDMOS晶体管

BCD8技术于2011年首次发布。它具有0.18µm CMOS门和四层CMP平面化的金属铝,加上两层含钴硅化的多晶硅,和浅沟槽隔离(STI)。我们发现了N型和p型LDMOS晶体管,加上双极晶体管,多聚电容器和6T-SRAM存储器。图7为STMicroelectronics ST7570 BCD8芯片的照片。互补的LDMOS晶体管位于右上角。在ST7570 BCD8芯片上发现的LDMOS晶体管的一个例子如图8的截面所示。如图3所示,高压绝缘体上硅(SOI)版本的BCD8技术现在也可以使用,但尚未被TechInsights发现。

ST7570 BCD8芯片

图7 - STMicroelectronics ST7570 BCD8芯片照片

STMicroelectronics ST7570 P-LDMOS晶体管

图8 - STMicroelectronics ST7570 P-LDMOS晶体管

0.13µm BCD9工艺于2015年上市。该技术的特点是铜金属化,并集成了现在广泛的BCD功能阵列,包括N和p型LDMOS晶体管,MIM电容,6T-SRAM和双极晶体管。图9显示了意法半导体FSB2D48 BCD9芯片的照片,而图10显示了在FSB2D48 BCD9芯片上发现的N-LDMOS晶体管布局的一个例子。

STMicroelectronics FSB2D48 BCD9 DIE照片

图9 - STMicroelectronics FSB2D48 BCD9芯片照片

STMicroelectronics FSB2D48 N-LDMOS布局

图10 - STMicroelectronics FSB2D48 N-LDMOS布局

2015年,ST宣布BCD9S技术[11]作为其BCD90.13μm工艺技术的第二代。我们的初步分析发现了几个关键的新功能,包括添加厚的顶部再分配层(RDL)。逻辑晶体管的观察到的最小接触栅极间距为0.6μm,提示0.13μm,而不是由ST为BCD9s所要求的0.11μm。该技术现在集成了三种类型的隔离。深度沟槽隔离(DTI)用于提供各种电路块之间的隔离,CMOS逻辑使用STI和LDMOS功率晶体管块使用Locos隔离。这是TechInsights第一次看到单一模具中使用的所有三种分离。图11显示了STMicroelectronics FDA801B-VYY BCD9S工艺模具边缘的横截面视图,显示了DTI和RDL特征。TechInsights正在计划进一步分析BCD9S技术,该技术将在即将到来的报告中提供。

STMicroelectronics FDA801B-VYY BCD9S工艺模具边缘

图11 - STMicroelectronics FDA801B-VYY BCD9S工艺模具边缘

BCD技术仍然是电力电子市场空间中积极创新的领域。与先进的CMO不同,在挑战周围围绕最大MOS晶体管的集成到给定区域,因此,BCD技术的无情驱动器通过将各种不同的有源器件集成到a上的需要将各种不同的有源器件集成到A上单芯。这需要仔细平衡各个设备类型的不同工程需求。

表1 - STMicroelectRonic BCD技术过程摘要

CUD16A
BCD
0500 - 4376 fs43
l6262s.
BCD
SAR-0408-​​008.
ST1S03.
BCD6
PPR-0601-801.
ST7570
BCD8
PPR-1101-801.
L6390DTR.
BCD离线
PPR-1301-803
FSB2D48
BCD9
ppr - 1501 - 801
FDA801B-VYY.
BCD9S.
PPR-1803-801.
一年 2000年 2004年 2006年 2011年 2013年 2015年 2018年
面具日期 1999年 1998年 2004年 2009年 1998年 2012年 2014年
一代 1μm 1μm 0.35μm 0.18μm 3μm 0.13μm 0.11μm(要求保护)
数量的金属 3. 3. 3. 4 1 5 3.
波多数量 2 2 1 2 2 1 1
硅化物 WSI. - TISI. 阿大 - 阿大 阿大
RDL 是的
金属型 艾尔 艾尔 艾尔 艾尔 艾尔 4个铜,1个铝
联系人 W 艾尔 W W 艾尔 W W
通过 W 艾尔 W W -
CMP. 是的 是的 是的 是的
隔离 Locos. Locos. Locos. STI Locos. STI Locos.
STI
Dti.
功率晶体管 DMOS结构 DMOS结构 LDMOS与locos. LDMOS与STI. LDMOS与locos. LDMOS与STI. LDMOS与locos.
双极晶体管 NPN. NPN和PNP. NPN. NPN. NPN. NPN和PNP. NPN.
被动者 电阻 电阻器,多电容器和二极管 电阻器,多电容器和二极管 电阻器和聚多电容器 电阻器和聚多电容器 MIM电容和电阻 电容器和电阻器
SRAM. ST-SRAM 6T-SRAM. 是的

TechInsights对我们的新功率半导体订阅中包含了本篇文章中引用的STMicroelectronics BCD9S的全部分析。

本订阅的目的是提供对我们对电力半导体市场的新技术的分析,包括GaN,SiC,Si MOSFET和IGBT器件。它还包括我们的BCD技术报告图书馆。

了解有关TechInsights电力半导体订阅的更多信息。

  1. A structure Analysis of the BCD transistor (Bipolar, CMOS, DMOS) Including Electrical Characteristics, on an STMicroelectronics Microcontroller, Report ID#: 0500-4376-FS43, TechInsights, May 26, 2000。
  2. 意法半导体L6262S BCD-MOS集成电路工艺综述,技术信息,2004年8月31日。
  3. http://cmp.imag.fr/img/pdf/bcd8s-soi_technology_overview-2.pdf.
  4. http://www.st.com/content/st_com/en/about/innovation---technology/bcd.html.
  5. STMicroelectronics ST1S03 BCD6 LDMOS过程评论,PPR-0601-801,TechInsights,2006年1月16日。
  6. STMicroelectronics ST7570 180 nm BCD8 -工艺分析报告,TechInsights, TechInsights, PPR-1101-801, 2011年7月1日。
  7. STMicroelectronics ST7570 N-LDMOS和P-LDMOS BCD电学表征报告,TechInsights,CWR-1103-906,2011年3月3日。
  8. STMicroelectronics L6390DTR高压高/低侧驱动器BCD离线过程评论,TechInsights,PPR-1301-803,2013年8月1日。
  9. STMicroelectronics FSB2D48 BCD9过程审查报告,TechInsights,PPR-1501-801,2015年1月1日
  10. http://www.st.com/en/automotive-infotainment-and-telematics/fda801b.html.
  11. http://www.st.com/content/st_com/en/about/media-center/press-item.html/p3767.html.

不要错过TechInsights的另一个更新。

我们所有的最新内容更新发送给您一个月几次。