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高级1 GB 28 NM STT-MRAM产品，来自Everspin Technologies

高级1 GB 28 NM STT-MRAM产品，来自Everspin Technologies

三月ch 16, 2021 Dr. Jeongdong Choe Advanced 1 Gb 28 nm STT-MRAM products from Everspin Technologies We’ve been waiting for a long time to see the technology details of Everspin’s new stand-alone 1-Gigabit (Gb) Spin Torque Transfer Magneto-resistive Random Access Memory (STT-MRAM) device with 28 nm
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16. 三月
细节

来自富士通的新和高级纪念日

2021年3月9日，富士通博士博士博士从富士通进行了新的和先进的雷兰克兰，我们一直在富士通半导体分析新的RERAM产品。富士通8 MB MB85AS8MT是世界上最大的密度，作为独立的批量生产的Reram产品。MB85AS8MT是一种非易失性的新出现内存，具有SPI
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11. 三月
2021年GaN USB-C充电器市场升温

2021年GaN USB-C充电器市场升温

用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑的基于氮化镓(GaN)的高功率USB充电器是电力电子市场一个不断增长的领域。TechInsights在过去几年中一直在关注这个市场
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10. 三月
商业高压碳化硅器件的前景

商业高压碳化硅器件的前景 - 摘要

2021年3月03日，Peter Gammon Power技术前景商业高压碳化硅器件展望 - 摘要SIC电源器件有可能达到超过30千伏的电压额定值，但今天，SIC芯片制造商主要关注600的SIC MOSFET和肖特基二极管-1700 V.
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03. 三月
激光雷达101

激光雷达101 -固态和机械激光雷达

2月19日，2021年汽车技术LIDAR 101 - 固态和机械LIDARS 2020是LIDAR制造商的令人兴奋的一年。五个LIDAR公司（Velodyne Inc，Luminar Technologies Inc，Inveniz Technologies Ltd，Aeva Inc，以及Oeva Inc）制作了公告或公开通行
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19. 2月
三星12GB D1Z LPDDR5采用EUV光刻应用

三星12GB D1Z LPDDR5采用EUV光刻应用

2月17日，2021年NAND＆DRAM记忆技术下载三星12GB D1Z LPDDR5在几个月后应用了EUV光刻，我们已经看到三星电子的应用极端紫外线（EUV）光刻技术在大规模生产中进行D1Z DRAM。这是一个乐器变化
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17. 2月
三星12GB D1Z LPDDR5采用EUV光刻应用

三星EUV微影製程D1z記憶體揭密

2021年3月15日，2021年Jeongdong Choe，TechInsights三星Euv微影制程进程D1z记忆体揭密经过几个的漫⻑漫⻑之道，三星电机（三星电子）采⽤极极外光（EUV）微影制程的D1z DRAM终于流产了！三星电影在长年发行牌号称业主⾸创，同时分采⽤氟氩浸润式（ARF-I）制程与euv微影技术的D1z DRAM，⽽刀架很兴奋地布布，我们针对三星最新/最先进d1z dram的拆解分享有⼀确认「该新⼀⼀些细节。三星电脑⼦开发了d1z 8gb ddr4，d1z 12gb
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17. 2月