得到规则,简洁的新兴电力半导体产品分析。

半导体行业正在开发使用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的新型动力处理技术,这些技术更小、效率更高、损耗更低、击穿电压更高。

这个领域的硅产品已经非常成熟,但我们仍能看到值得注意的创新。这项基于订阅的服务为您提供我们对这些尖端产品的分析。


TechInsights的Power subscription products提供了对新兴的Power半导体产品的深入了解,这些产品正进入大规模生产的大容量应用领域。


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电源要点

权力要素(PEF)

包括:

  • 年度目标
    • 10个PDF报告与支持图像
  • 分析报道
    • 设备指标和显着特点
    • 包X射线和模具照片
    • 扫描电镜平面图像和横截面图像
    • 截面TEM图像和材料分析
  • 分析管理
    • 三年度分析师会议
    • 年度专利概况总结
    • 年度研讨会
  • 实时更新
    • 项目正在进行的工作(PEF报告,分析简报等)在发布之前获得

碳化硅(SiC)处理流程

碳化硅(SiC)处理流程

包括:

  • 工艺流程分析(PFA)
    • 显示流程架构、掩码列表和集成级流程步骤的报告(目标:每年4个)
  • 工艺流程完全仿真(PFF)
    • 扩展PFA报告中提供的细节
    • 布局将GDS完全分解为流程层
    • 所提供的PDF报告是使用Synopsys进程浏览器构建的
    • 操纵Synopsys公司的报告数据(需要新思许可证)
    • 带有支持图像的流程流完整仿真报告(目标:每年4个)
  • 分析人士
    • 设计技术相互作用分析
    • 从晶片中通过流程整合的详细说明晶片出
    • 处理步骤,材料,设备类型,单位处理
    • SEM和TEM的截面和顶视图图像\层注解,特定的处理模块,假设

碳化硅(SiC)楼层平面图(PFR)

碳化硅(SiC)楼层平面图(PFR)

包括:

  • PDF报告
    • 公司简介
    • 执行概要
    • 设备标识:选定拆解照片(可选),封装照片,封装的X射线,模具的照片,其中包括管芯的角和键合焊盘,并且管芯Delayered照片
    • 过程分析:管芯边缘示出的管芯厚度,晶体管的门阵列的边缘或管芯密封,晶体管的门阵列概要/详细
    • 排样分析:标注延迟模具照片,模具利用率表
    • 成本分析
  • 图片的文件夹
    • 包装和模具图像
    • SEM剖面图像
  • CircuitVision启用顶部金属和门级/板图像
  • 15份报告/年

碳化硅(SiC)楼层平面图(PFR)

氮化镓(GaN)楼层平面图(PFR)

包括:

  • PDF报告
    • 公司简介
    • 执行概要
    • 设备标识:选定拆解照片(可选),封装照片,封装的X射线,模具的照片,其中包括管芯的角和键合焊盘,并且管芯Delayered照片
    • 过程分析:管芯边缘示出的管芯厚度,晶体管的门阵列的边缘或管芯密封,晶体管的门阵列概要/详细
    • 排样分析:标注延迟模具照片,模具利用率表
    • 成本分析
  • 图片的文件夹
    • 包装和模具图像
    • SEM剖面图像
  • CircuitVision启用顶部金属和门级/板图像
  • 15份报告/年

定制服务

可提供定制服务

  • 产品拆卸
    • 电力电子产品拆解与详细的分析
  • 权力流程流
    • 工艺流程模拟(工艺步骤、工具类型、材料)
    • 工作范围涉及对案件逐案的基础;讨论与我们的自定义选项
  • 方案分析
    • 详细包分析,横截面包分析,SEM成像,SEM-EDS分析的材料
  • 电气特性
    • 传递特性(IDVG),输出特性(IDVD),RDSON,击穿电压
  • 选择性区域电子衍射
    • gan基外延层的TEM-based SAED


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