对新兴功率半导体产品进行定期、简洁的分析。
半导体行业正在开发新的功率处理技术，使用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)更小、更高效、损耗更低、击穿电压更高。
这个领域的硅产品非常成熟，但我们继续看到值得注意的创新。这个基于订阅的服务为您提供了访问我们对这些前沿产品的分析。
TechInsights的电源订阅产品在高批量应用中进入批量生产时，提供了新出现的功率半导体产品的见解。
可用功率半导体订购
权力要领（PEF）
包括:
- 年度目标
- 10个PDF报告，支持图像
- 分析报道
- 设备度量和突出功能
- 包装x光片和die照片
- SEM Plan-View图像和横截面SEM图像
- 断面透射电镜图像和材料分析
- 分析师策策
- 三年度分析师简报
- 年度专利概况
- 年度研讨会
- 实时更新
- 在项目工作发表之前获得其进展(PEF报告，分析师简报等)
碳化硅(SiC)工艺流程
包括:
- 过程流程分析（PFA）
- 显示流程架构，掩码列表和集成级流程步骤的报告（目标：每年4个）
- 流程全仿真(PFF)
- 在PFA报告中提供的细节上展开
- 布局GDS完全分解为过程层
- 所提供的PDF报告是使用Synopsys Process Explorer构建的
- 在Synopsys中操作报告数据(需要Synopsys许可证)
- 具有支持图像的流程流完全模拟报告(目标:每年4个)
- 分析师
- 设计技术交互分析
- 通过晶片输出从晶圆的过程集成的详细说明
- 工艺步骤，材料，设备类型，单位过程
- 扫描电镜和透射电镜横断面和顶视图图像\层注释，具体流程模块，假设
碳化硅(SiC)平面图(PFR)
包括:
- PDF报告
- 公司简介
- 执行摘要
- 设备标识:选定的拆卸照片(可选)，包装照片，包装x光片，模具照片，包括模具角和粘合垫，延迟模具照片
- 工艺分析：模具边缘显示模具厚度，晶体管栅极阵列边缘或管芯密封，晶体管门阵列概述/细节
- 布局分析：注释延时模具照片，模具利用表
- 成本分析
- 图像文件夹
- 包和模具图像
- 扫描电镜截面图像
- 电路支持顶部金属和栅极电平/基板图像
- 15份报告/年
氮化镓（GaN）Placeplan（PFR）
包括:
- PDF报告
- 公司简介
- 执行摘要
- 设备标识:选定的拆卸照片(可选)，包装照片，包装x光片，模具照片，包括模具角和粘合垫，延迟模具照片
- 工艺分析：模具边缘显示模具厚度，晶体管栅极阵列边缘或管芯密封，晶体管门阵列概述/细节
- 布局分析：注释延时模具照片，模具利用表
- 成本分析
- 图像文件夹
- 包和模具图像
- 扫描电镜截面图像
- 电路支持顶部金属和栅极电平/基板图像
- 15份报告/年
可用的自定义服务
- 产品拆卸
- 电力电子产品拆卸与详细分析
- 权力流程流
- 流程仿真（工艺步骤，工具类型，材料）
- 逐案的工作范围;与我们讨论自定义选项
- 方案分析
- 详细封装分析，截面封装分析，SEM成像，SEM- eds材料分析
- 电气表征
- 传输特性(IDVG)，输出特性(IDVD)， RDSON，击穿电压
- 选择性区域电子衍射
- 氮化镓基外延层的tem - SAED
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