里面的意法半导体MasterGaN1集成GaN高电压半桥-TechStream功率半导体博客

Sinjin Dixon-Warren
Sinjin狄克逊 - 沃伦,高级工艺分析师
Sinjin迪克森-Warren是与半导体分析超过20年的经验TechInsights的高级工艺分析师,是电力电子技术分析的主题专家(SME)。他拥有多伦多大学化学物理博士学位;他的一些特色包括半导体物理和设备,材料科学和表面分析化学。

11月3日,2020年

意法半导体公司首次进军氮化镓(GaN)电力电子市场。根据最近的新闻稿,masterergan1是一种集成的半桥高压驱动器,具有两个650 V增强模式GaN HEMTs和一个双极cmos - dmos (BCD)门驱动器。这两个集成的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMTs)具有rdson.150摩尔,并在9毫米×9mm四平面无铅(QFN)封装中包装。

动力网络研讨会

Mastergan1设备代表STMicroelectronics首次基于GaN的产品;然而,圣路斯在甘市场一直活跃。2020年3月,圣诞生于2018年9月的法国公司举行了一项主要股份宣布与CEA-Leti合作开发GaN-on-Si技术。2020年2月,ST与台积电宣布合作开发的GaN基产品。

在STMicroelectronics masterergan1集成GAN高电压半桥

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