TechInsights的证实了三星的Exynos 990三星的真正7LPP过程

去年,三星宣布将EUV引入Exynos 9825所用的7LPP工艺中。通过对零件的分析,我们发现他们9825的7LPP工艺和Exynos 9820的8LPP工艺差别不大。

现在,我们激动地说,我们在Exynos 990中发现了三星真正的7LPP工艺,包括在他们的旗舰Galaxy S20中。正如我们预期的那样,这一7nm EUV工艺提供了三星迄今为止观察到的最高密度布局。

三星S20局

采用27nm的鳍节距,这一颠覆性创新使得NMOS和PMOS晶体管的3/3翅片布局可以使标准电池高度达到270nm,同时保持高驱动电流。

三星Exynos 990

与EUV光刻方面取得在240nm的标准单元高度这表明增加的密度相比具有300nm的标准单元高度TSMC的N7 7.5T 3/3鳍布局,和6T 2-鳍布局。

英特尔10nm工艺也有类似的272nm标准电池高度,但实现这一点的是2/3的鳍片布局。除了音高缩放,在一个令人惊讶的实现,三星引入了一个SA-DB(自对齐扩散断路),这可能减少由PMOS晶体管的局部布局效应(LLE)引起的性能变化。这是我们第一次在这个装置中发现。我们也开始了骁龙765G的工作,它是由同样的三星7LPP Exynos 990,它有新的功能,243nm标准电池高度2/2鳍布局和54nm门间距。它应可与台积电N7或N7P 2/2翅片布局高密度电池相媲美。

三星Exynos 990

TechInsights的更加紧密地检查这些部分;到目前为止,我们有以下分析计划:

产品名称 产品代码 订阅/通道
三星的Exynos 990数字功能分析报告 DFR-2003-801 逻辑 - 数字平面图
三星的Exynos 990 ACMOS要点套餐 ACE-2003-801 逻辑 - 过程
高通骁龙765G数字平面图分析报告 DFR-2002-802 逻辑 - 数字平面图

三星Exynos 9907nm EUV工艺分析

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