三星电子去年表示，在Exynos 9825的7LPP工艺中引入了EUV技术。通过对零件的分析，我们发现9825的7LPP工艺与Exynos 9820的8LPP工艺相差不大。
现在，我们很高兴地说，我们已经在三星旗舰Galaxy S20中的Exynos 990中发现了三星真正的7LPP工艺。正如我们所预期的，该7nm EUV工艺提供了三星迄今为止观察到的最高密度布局。
这种颠覆性创新采用了27nm的翅片间距，使标准单元的高度更小，达到270nm，同时通过NMOS和PMOS晶体管的3/3翅片布局保持高驱动电流。
这表明，与TSMC的N7 7.5 t3 /3-鳍布局(300nm标准电池高度)和6t2 -鳍布局(240nm标准电池高度)相比，EUV光刻实现的密度增加了。
英特尔的10nm工艺具有类似的272nm标准电池高度，但实现了2/3鳍布局。除了螺距缩放，三星还出人意料地推出了SA-DB (Self - Aligned Diffusion Break)，这可能会减少PMOS晶体管的局部布局效应(LLE)造成的性能变化。这是我们第一次在这个装置里发现。我们也开始研究骁龙765G，由同样的三星7LPP制造的Exynos 990，它有新的功能，243nm标准电池高度，2/2鳍布局和54nm栅极间距。可与台积电N7或N7P 2/2翅片布局高密度电池相媲美。
TechInsights将更仔细地研究这些部分;到目前为止，我们计划了以下分析:
| 产品名称 | 产品代码 | 订阅/频道 |
|---|---|---|
| 三星Exynos 990数字功能分析报告 | dfr - 2003 - 801 | 逻辑-数字平面图 |
| 三星Exynos 990 aCMOS Essentials Package | ace - 2003 - 801 | 逻辑过程 |
| 高通Snapdragon 765G数字楼层平面图分析报告 | dfr - 2002 - 802 | 逻辑-数字平面图 |
三星Exynos 990 7nm EUV工艺分析
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