YMTC是中国第一家大规模生产3D NAND闪存芯片的公司

投稿作者:崔贞洞

最初发布于3月12日,2020年4月7日修订

TechInsights的终于找到了在武汉,中国长江存储技术有限公司(YMTC)制造3DXtacking®NAND设备。有了这种设备,YMTC已成为三维NAND闪存芯片的中国第一家大规模生产。

这款64L 3D NAND闪存设备代表了中国政府支持的对尖端存储芯片的投资所产生的首个主要有竞争力的半导体产品。毫无疑问,这将扰乱52 十亿美元三星NAND内存市场及其各自的市场领导者,Kioxia,西部数据,微米,英特尔,SK海力士。

YMTC的64L 3D NAND设备是一个颠覆者,不仅因为它是由一个重要的新进入者提供的,还因为它的Xtacking架构。

TechInsights对UNIC内存安全S1-C 64gb USB中的YMTC 3D 64L Xtacking TLC NAND设备进行的早期分析显示,一个垂直NAND串共有73个门,带有9个垂直通道(VC)孔,其中包括在公共源线触点之间的一个虚拟孔。很可能还使用了4个选择门(1个GST和3个sst)和5个假门。

由于Xtacking架构,外围电路和存储单元操作在单独的晶片上处理,阵列效率和存储位密度大大高于传统的3D NAND,如三星64L V-NAND和KIOXIA/WD 64L BiCS NAND。例如YMTC 64L 256gb的模位密度为4.41 Gb/mm2哪个比三星64L 256gb的模(3.42 Gb/mm2),可与Micron/Intel 64L CuA FG 256gb TLC模(4.40 Gb/mm)相媲美2关于YMTC 64L示出了90%以上的管芯)的NAND存储器阵列的效率。

我们证实了它们与Xtacking逻辑和存储器阵列中的两个不同的模具分开,这意味着每一个管芯具有其自己独特的模具的标记。

由于YMTC Xtacking使用了晶圆到晶圆的键合技术,NAND阵列在外围电路上是倒置的。流程集成包括(1)金属1到4,对外围电路晶片,(2)与非数组和一个源板(SP)和金属1通过金属3的一个单独的晶片,(3)连接M4和金属薄片焊接3 ',通过和金属5(4)通过SP。这里,Metal 1 '是用于BL的。NAND阵列模基片与外围电路模相比非常薄,这是由于混合键合后的细化过程。

NAND阵列由相同数量的总门相比KIOXIA / WDC BICS 64L 3D NAND的。该设备的位线的一半间距为20nm,这意味着它们使用双图案化技术(DPT)可能具有自对准双图案化(SADP)。它们不使用任何类型的金属带与NAND信道,其是从三星64L V-NAND阵列结构的不同连接位线。顶选择栅极(TSG)切割工艺也用于阵列。

我们发现在YMTC 64L三维NAND集成使用,如TSC(硅通联系人)或TSV(硅通孔)通过硅源板,TAC(通过阵列触点)存储核心互连,和混合CU-一些独特的,非常创新技术到铜接合技术为好。

TechInsights的具有相当的分析正在进行的这一部分。到目前为止,我们已经计划了如下分析:

  • 平面布置图 -金属和多晶硅平面图像死去,SEM X-section,过程证明,平面布置图分析和利用包括块大小和功能死去,死亡和包装成本
  • 外围设计 ——计划视图SEM图像设置目标块的层次结构图
  • 结构和材料 - SEM平面和X-sections, TEM EDS和鳗鱼,SCM,西姆斯和其他先进技术的结构和材料分析
  • 工艺流程 ——流程步骤和先进半导体技术的三维模拟。
  • 电路逆向工程raybet炉石传说- 分层的原理图表明从块下降到门级设计 - 所有链接到原始布局,示出了所提取的栅极和相关联的互连。

当我们进一步分析该产品时,TechInsights内存订阅用户可以查看我们正在进行的工作,并可以在他们发布时访问完整的报告。

如果您有兴趣TechInsights的分析上YMTC 64L三维NAND你可以下载我们的产品简介,其中包括我们的分析概述,设备,以及在Xtacking架构的讨论的图像。

YMTC 3D 64L Xtacking TLC NAND分析简介

下载TechInsights关于YMTC 3D 64层Xtacking TLC NAND的简介,包括对这种破坏性设备的讨论、初步图像、对Xtacking架构的检查,以及我们计划对这一部分进行的分析的细节。

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