贡献作者：河东选择
最初发布于3月12日，于4月7日修订
TechInsights终于找到了由长江内存技术有限公司（YMTC）制造的3DXTacking®NAND器件在中国武汉。使用此设备，YMTC已成为中国第一批3D NAND闪存芯片生产商。
这款64L 3D NAND闪存设备代表了第一个主要竞争灵活的半导体产品，以外，以中国在尖端内存芯片中的国家支持投资。毫无疑问，这将扰乱52亿美元的NAND内存市场及其各自的市场领导人三星，Kioxia，西方数码，微米，英特尔和SK Hynix。
YMTC的64L 3D NAND设备是一个颠覆者，不仅因为它是由一个重要的新进入者提供的，而且因为它的Xtacking架构。
TechInsights对YMTC 3D 64L Xtacking TLC NAND器件的早期分析显示，在UNIC Memory Secure s2 - c 64gb USB中发现的YMTC 3D 64L Xtacking TLC NAND器件共有73个门，该器件有9个垂直通道(VC)孔，包括一个在共同源线接触之间的假孔。很可能还使用了4个选择门(1个GST和3个sst)和5个假门。
由于在单独的晶片上处理了外围电路和存储器单元操作的X特拉克架构，阵列效率和存储器比特密度远远高于传统的3D NAND，例如三星64L V-NAND和Kioxia / WD 64L BICS NAND。例如，YMTC 64L 256 GB模钻位密度为4.41 GB / mm2高于三星64L 256 GB模具（3.42 GB / mm2），与微米/英特尔64L CUA FG 256 GB TLC模具相当（4.40 GB / mm2）对于YMTC 64L的模具上的NAND内存阵列效率超过90％。
我们确认了逻辑和内存阵列的两个不同模具的X封，这意味着每个模具都有自己独特的模具标记。
由于YMTC xtack采用了晶圆对晶圆键合技术，NAND阵列在外围电路上是倒置的。流程集成包括(1)金属1到4,对外围电路晶片,(2)与非数组和一个源板(SP)和金属1通过金属3的一个单独的晶片,(3)连接M4和金属薄片焊接3 ',通过和金属5(4)通过SP。在这里，Metal 1’代表BL。由于混合键合后的细化过程，NAND阵列芯片基片与外围电路芯片相比非常薄。
与Kioxia / WDC BICS 64L 3D NAND相比，NAND阵列由相同数量的总栅极组成。设备的位线半间距为20nm，这意味着它们可能使用自对准双图案（SADP）使用双重图案化技术（DPT）。它们不使用任何类型的金属带来连接与NAND频道的位线，这与三星的64L V-NAND阵列结构不同。顶部选择门（TSG）剪切过程也用于阵列。
我们在YMTC 64L 3D NAND集成中发现了一些独特且非常创新的技术，如通过硅接触(Through Silicon Contact)或通过硅Via (Through Silicon Via)通过硅源板的TSC (Through Silicon Contact)、通过阵列接触(Through Array Contact)实现存储核心互连的TAC (Through Array Contact)，以及混合cu - cu键合技术。
TechInsights正在对此进行大量分析。到目前为止，我们计划了以下分析:
- 平面图 -顶级金属和多晶硅平面模具图像，SEM x -切片，工艺证明，平面图分析和模具使用，包括块尺寸和功能，模具和包装成本
- 外围设计 -平面图查看扫描电镜图像集与目标块的层次示意图
- 结构和材料 - SEM平面和x断面，TEM EDS和EELS, SCM, SIMS和其他先进的结构和材料分析技术
- 工艺流程 -先进半导体技术的工艺流程步骤和3D仿真。
- 电路逆向工程raybet炉石传说-分层示意图展示了从街区到门级的设计-所有链接到原始布局，显示提取的门和相关的互连。
TechInsights内存订阅者可以在我们进一步分析该产品时查看我们正在进行的工作，并将在发布时访问完整的报告。
如果您对YMTC 64L 3D NAND的TechInsights分析感兴趣，您可以下载我们的产品简介，其中包括我们分析的概述，设备的图片，以及Xtacking架构的讨论。
YMTC 3D 64L XTacking TLC NAND分析简介
下载关于YMTC 3D 64层XTacking TLC NAND的TechInsights简单，包括对该破坏性设备，初步图像，X特拉克架构检查的讨论以及我们计划分析的细节。
