三星、SK海力士、美光半导体1y DDR4 DRAM

发布时间:2019年6月7日

三星LPDDR4X 17 nm 1Y
三星LPDDR4X 17 nm 1Y

三星DDR4 17 nm 1Y
三星DDR4 17 nm 1Y

Micron MT40A2G4SA-062E 8Gb DDR4
Micron MT40A2G4SA-062E 8Gb DDR4

三星、SK海力士、美光等3大DRAM制造商在2017年和2018年推出了1x,达到了不到20nm。三星的DDR4/LPDDR4X和美光的DDR4分别推出了1y,这是一个新的里程碑。

TechInsights最近一直在跟踪和分析几项1y nm DRAM工艺节点创新…

三星

techhinsights对三星的解决方案进行了分析,称这一创新“在保持4266兆每秒(Mb/s)相同的数据速率的情况下,最多可以减少10%的电力。”

  • 三星LPDDR4X 17 nm 1Y
  • 三星DDR4 17 nm 1Y

微米

最近我们实验室也收到了美光公司的MT40A2G4SA-062E 8Gb DDR4,我们正在对这部分进行检查。

SK海力士

我们将继续关注包含SK海力士1y的第一批设备。

下载我们的DRAM分析概述,包括市场概述、DRAM技术路线图、带注释的模具图像,以及我们可以应用于这些产品的不同分析方法的概述。

来自三星、SK海力士和美光的1y DRAM解决方案

下载我们的1y DRAM分析概述,包括市场概述、DRAM技术路线图、带注释的模具图像,以及我们可以应用于这些产品的不同分析方法的概述。

保持与最新的新闻和更新从TechInsights