微米技术上所有电路的电路分析MT41K512M8RH-125：E 31nm 4GB DDR3 SDRAM

产品代码

CVR-8675.

发布日期

2013/03/18.

可用性

发表

产品项目代码

MIC-MT41K512M8RH-125_E

设备制造商

微米技术

设备类型

DDR3 SDRAM.

订阅

记忆 - NAND＆DRAM

渠道

记忆 - DRAM电路分析

报告代码

0113-31734-O-5CV-10

本报告提供了在31 nm Process节点上制造的Micron 4GB DDR3 SDRAM的详细原理图。模具带有微米 - 纳尼亚标志，并且包装标有微米标志。该报告包括阵列和外围设备，数据和地址路径，DLL和PLL，电压发生器和稳压器，指挥和控制和测试电路。

login or register as a guest.">查看目录

内存订阅

您需要的内存分析

巨大的前期研发投资要求客户具有最新和准确的竞争情报。弄清楚首先开发产品策略的挑战。

学到更多

搜索我们的分析和网站

相关分析	制造商	分析类型	订阅频道
Micron Gen2 D1Y 8 GB GDDR6记忆平面图分析	微米技术	平面图	记忆 - DRAM FloorPlan分析
三星D1X 4 GB LPDDR4X记忆平面图分析	三星	平面图	记忆 - DRAM FloorPlan分析
有毒19NM SLC NAND闪存平面图分析	Macronix.	平面图	记忆 - NAND FloorPlan分析
三星128L NAND模具（K9AFGD8U0C）工艺流程分析	三星	电路	记忆 - 过程流程分析
三星128L NAND DIE（K9AFGD8U0C）流量充分	三星	过程	记忆 - 过程流程分析
三星2nd-Gen HBM2 8 GB TSV模具存储器底板分析	三星	平面图	记忆 - DRAM FloorPlan分析
三星12 GB 1Z EUV LPDDR5内存平面图分析	三星	平面图	记忆 - DRAM FloorPlan分析
三星12 GB 1Z EUV LPDDR5高级内存要素	三星	过程	记忆 - 过程
三星12 GB 1Z EUV LPDDR5晶体管表征	三星	功能 - 测试	存储器 - DRAM SWD和SA晶体管表征
三星12 GB 1Z EUV LPDDR5过程流程分析	三星	过程	记忆 - 过程流程分析