CXMT CXDQ3A8AM-CG 2X NM（22NM）8 GB DDR4高级内存要素

联系我们

产品代码
AME-2006-802
发布日期
12/08/2020
可用性
发表
产品项目代码
CXT-CXDQ3A8AM-CG
设备制造商
CXMT.
设备类型
DDR4 SDRAM.
订阅
记忆 - NAND＆DRAM
渠道
记忆 - 过程
报告代码
AME-2006-802
这是CXMT CXDQ3A8AM-CG 8 GB DDR4 SDRAM设备的高级内存Essentials Analyis，CXDQ3A8AM-CG模具发现在该组件内。这是CXMT的第一个DDR4 DRAM产品，以及来自中国的前8个GB DRAM。使用2x技术节点（D / R = 22nm）（可能在三星的2x和2y之间），电池尺寸为0.0045μm2，比特密度为0.102gb / mm2。
login or register as a guest.">下载示例报告
内存订阅

您需要的内存分析

巨大的前期研发投资要求客户具有最新和准确的竞争情报。弄清楚首先开发产品策略的挑战。

学到更多

搜索我们的分析和网站

相关分析 制造商 分析类型 订阅频道
Micron Gen2 D1Y 8 GB GDDR6记忆平面图分析 微米技术 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析
三星D1X 4 GB LPDDR4X记忆平面图分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析
有毒19NM SLC NAND闪存平面图分析 Macronix. 平面图 记忆 - NAND FloorPlan分析
三星128L NAND模具（K9AFGD8U0C）工艺流程分析 三星 电路 记忆 - 过程流程分析
三星128L NAND DIE（K9AFGD8U0C）流量充分 三星 过程 记忆 - 过程流程分析
三星2nd-Gen HBM2 8 GB TSV模具存储器底板分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析
三星12 GB 1Z EUV LPDDR5内存平面图分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析
三星12 GB 1Z EUV LPDDR5高级内存要素 三星 过程 记忆 - 过程
三星12 GB 1Z EUV LPDDR5晶体管表征 三星 功能 - 测试 存储器 - DRAM SWD和SA晶体管表征
三星12 GB 1Z EUV LPDDR5过程流程分析 三星 过程 记忆 - 过程流程分析