Micron 1z 16gb DDR4 SDRAM Advanced Memory Essentials

联系我们

产品代码
ame - 2007 - 801
发布日期
16/09/2020
可用性
发表
产品项目代码
麦克风mt40a4g4jc - 062 e_e
设备制造商
美光科技
设备类型
DDR4更快
订阅
内存- NAND & DRAM
通道
内存,进程
报告的代码
ame - 2007 - 801
这是一个Advanced Memory Essentials Analysis of the Micron MTA36ASF8G72PZ-2G9E1 16gb DDR4 SDRAM device and the mt40a4g4jt - 062e:E die found inside This component。这是美光制造的第一款1z DDR4 DRAM产品。使用1z技术节点(D/R=15 nm)，细胞大小为0.0020µm2比特密度为247.1 Mb/mm2。
login or register as a guest.">查看目录
login or register as a guest.">下载样例报告
内存订阅

您需要的内存分析

巨额的前期研发投资要求客户拥有最新、准确的竞争情报。首先弄清楚在制定你的产品策略时面临的挑战。

了解更多

搜索我们的分析和网站

相关分析 制造商 分析类型 订阅频道
三星D1x 4gb LPDDR4X内存平面图分析 三星 平面布置图 内存- DRAM平面图分析
美光Gen2 D1y 8gb GDDR6内存平面图分析 美光科技 平面布置图 内存- DRAM平面图分析
MXIC 19nm SLC NAND闪存平面图分析 Macronix 平面布置图 内存- NAND平面布局分析
三星128L NAND模(K9AFGD8U0C)工艺流程分析 三星 电路 内存-进程流分析
三星128L NAND模(K9AFGD8U0C)工艺流程满 三星 过程 内存-进程流分析
三星第二代HBM2 8gb TSV模具存储平面图分析 三星 平面布置图 内存- DRAM平面图分析
三星12gb 1z EUV LPDDR5工艺流程分析 三星 过程 内存-进程流分析
三星12gb 1z EUV LPDDR5内存平面图分析 三星 平面布置图 内存- DRAM平面图分析
三星12gb 1z EUV LPDDR5 Advanced Memory Essentials 三星 过程 内存,进程
三星12gb 1z EUV LPDDR5晶体管表征 三星 功能- - - - - -测试 内存- DRAM SWD和SA晶体管特性