EverSpin的1Gb的28纳米pMTJ STT-MRAM高级内存要点

产品代码
AME-2103-802
发布日期
28/05/2021
可用性
发表
产品项代码
EVT-EMD4E001G16G2
设备制造商
EverSpin的技术
设备类型
MRAM
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内存 - 嵌入式及新兴
渠道
存储器 - 嵌入式&新兴流程
报告代码
AME-2103-802
此字段用于龙说明在临界装置指标,透射电子显微镜为基础的能量色散型X射线光谱法(TEM-EDS)和基于TEM-电子能量损失的eStore.The简要分析总结报告报告商店商品光谱法(TEM-EELS)的结果,和显着特征,通过下面的图像文件夹的支持:
  • 包图片和X射线,顶部金属和多晶硅模具照片
  • 沿的ReRAM模块的字线(WL)和位线(BL)SEM横截面
  • 沿BL方向TEM横截面(BLD)
  • 沿WL方向TEM横截面(BLD)
  • SEM伞
    • 存储器阵列斜角
    • 在多晶硅栅电平存储器外围
    • 在多晶硅栅电平存储器外围
    TEM-EDS分析的结果包含在AME概要文件内。该AME交付及时提供有竞争力的基准信息,使整个的竞争对手广度技术创新的成本效益的跟踪。

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