三星K9DUGY8J5B-DCK0 (K9AFGD8J0B Die) 92层3D V-NAND Flash IO缓冲区的电路视觉分析

产品代码
汽车- 1904 - 903
发布日期
03/06/2019
可用性
发表
产品项目代码
SAM-K9DUGY8J5B-DCK0
设备制造商
三星
设备类型
快闪记忆体
订阅
内存- NAND & DRAM
通道
存储与非电路分析
报告的代码
汽车- 1904 - 903
以下是三星K9DUGY8J5B-DCK0(带有K9AFGD8J0B die marking) 92层NAND flash I/O缓冲区的电路视觉分析报告。本报告载有一整套示意图和注释照片,分为以下几节:
  • 体系结构概述
  • I / O缓冲
  • 标准电池
  • 附录A -信号列表

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