联系我们 产品代码 mdp - 1909 - 801 发布日期 19/12/2019 可用性 发表 产品项目代码 HYN-HFB1A8MQ431A0MR 设备制造商 海力士 设备类型 快闪记忆体 订阅 内存- NAND & DRAM 通道 内存与非与外设设计 报告的代码 mdp - 1909 - 801 这是SK Hynix HFB1A8MQ431A0MR 96层3D NAND闪存内存外设设计分析。该器件是一种基于电荷陷阱flash (CTF)设计的TLC与NAND存储器，外围电路采用单元结构(PUC)。 login or register as a guest.">查看目录 一个独一无二的可靠，准确的数据库在您的指尖 我们的分析尽可能深入地揭示了广泛产品背后的内部工作原理和秘密。 了解更多 搜索我们的分析和网站 今天就开始搜索我们的图书馆 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 三星D1x 4gb LPDDR4X内存平面图分析 三星 平面布置图 内存- DRAM平面图分析 Micron Gen2 D1y 8gb GDDR6内存平面图分析 美光科技 平面布置图 内存- DRAM平面图分析 MXIC 19nm SLC NAND闪存的平面图分析 Macronix 平面布置图 内存- NAND平面分析 三星128L NAND模具(K9AFGD8U0C)工艺流程满 三星 过程 内存-进程流分析 三星128L NAND模具(K9AFGD8U0C)工艺流程分析 三星 电路 内存-进程流分析 三星第二代HBM2 8gb TSV模具内存平面图分析 三星 平面布置图 内存- DRAM平面图分析 三星12gb 1z EUV LPDDR5晶体管表征 三星 功能- - - - - -测试 记忆- DRAM的SWD和SA晶体管的特性 三星12gb 1z EUV LPDDR5工艺流程分析 三星 过程 内存-进程流分析 三星12gb 1z EUV LPDDR5内存平面图分析 三星 平面布置图 内存- DRAM平面图分析 三星12gb 1z EUV LPDDR5高级内存要领 三星 过程 内存,进程
