Micron MT44K32M36RCT-125第3代RLDRAM记忆周边设计

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产品代码
MDP-2004-802
发布日期
08/05/2020
可用性
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产品项目代码
MIC-MT44K32M36RCT-125
设备制造商
微米技术
设备类型
德拉姆
订阅
记忆 - NAND＆DRAM
渠道
记忆 - DRAM外围设计
报告代码
MDP-2004-802
以下是Micron Technology MT44K32M36RCT-125第三代RLDRAM上的内存外设设计。
  • 第三代延迟DRAM（RLDRAM 3）产品来自微米技术
  • 它具有1.125 GB的内存密度，并且在细间距球栅格阵列（FBGA）MCP中包含两个F57R模具。
  • F57R管芯的容量为576 MB，达到5.04 MB / mm的比特密度2
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