三星KLUFG8R1EM-B0C1 64L TLC 3D V-NAND 512gb内存平面布局分析

产品代码
生产商- 1903 - 802
发布日期
21/06/2019
可用性
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产品项目代码
SAM-KLUFG8R1EM-B0C1
设备制造商
三星
设备类型
快闪记忆体
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内存- NAND & DRAM
通道
内存- NAND平面分析
报告的代码
生产商- 1903 - 802
三星KLUFG8R1EM-B0C1 3D V-NAND TLC flash Memory package三星K9AHGD8U0M模具

本报告载有下列详细资料:
  • 选定的拆卸照片,包装照片,包装x光片,模具标记,和模具照片
  • 模具介电材料的一般结构、主要特征和晶体管的SEM截面显微图
  • 平面观察SEM显微照片的模具延迟到WL和BL层
  • 测量主要微观结构特征的垂直和水平尺寸
  • 模具延迟到多晶硅层的平面光学显微照片
  • 多晶硅模具照片上主要功能块的识别
  • 功能块尺寸及模具利用率表
  • 高分辨率的顶部金属和扩散水平模具照片交付在电路视觉软件

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