UNIC Memory UNOMEN05G21E31BS YMTC 64L 3D NAND内存平面图分析

联系我们

产品代码
MFR-2003-801.
发布日期
17/04/2020
可用性
发表
产品项代码
UNM-opswener05G21E31BS.
设备制造商
Unic Memory.
设备类型
NAND Flash.
订阅
记忆 - NAND＆DRAM
渠道
记忆 - NAND FloorPlan分析
报告代码
MFR-2003-801.
本报告介绍了在UNIC Memory UNIDEN05G21E31BS内发现的YMTC Y01-08的内存平面图分析。从UNIC存储器S1-C新一代安全USB闪存驱动器中提取了UNOMEN05G21E31BS。这是来自YMTC的第一个3D XTacking™NAND设备，具有64L有效字线，总共有73个门，用于NAND串，以及用于连接外围电路和存储器阵列的晶圆到晶圆键合技术。

此报告包含以下详细信息：
  • 选择的拆解照片，包照片，包X射线，模具标记和模具照片
  • SEM横截面显微照片的模具介电材料的一般结构，主要特征和晶体管
  • Plan-View的模具SEM显微照片延迟到WL和BL层
  • 主要微观结构特征的垂直和水平尺寸的测量
  • 平面图模具的光学显微照片延迟到多晶硅层
  • 在多晶硅模具照片上识别主要功能块
  • 功能块尺寸表和百分比模具利用率
  • 高分辨率顶级金属和多晶硅模具拍摄在电路驱动软件中提供
  • 基于观察过程的制造成本分析，模具和经过测试的包装成本
login or register as a guest.">查看目录
TechInsights图书馆

在指尖的一个独特的信任保险库中，触手可及的准确数据库

我们的分析尽可能深入地揭示了广泛产品背后的内部工作和秘密。

学到更多

搜索我们的分析和网站

相关分析 制造商 分析类型 订阅频道
Micron Gen2 D1Y 8 GB GDDR6记忆平面图分析 微米技术 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析
三星D1X 4 GB LPDDR4X记忆平面图分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析
有毒19NM SLC NAND闪存平面图分析 Macronix. 平面图 记忆 - NAND FloorPlan分析
三星128L NAND模具（K9AFGD8U0C）工艺流程分析 三星 电路 记忆 - 过程流程分析
三星128L NAND DIE（K9AFGD8U0C）流量充分 三星 过程 记忆 - 过程流程分析
三星2nd-Gen HBM2 8 GB TSV模具存储器底板分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析
三星12 GB 1Z EUV LPDDR5内存平面图分析 三星 平面图 记忆 - DRAM FloorPlan分析
三星12 GB 1Z EUV LPDDR5高级内存要素 三星 过程 记忆 - 过程
三星12 GB 1Z EUV LPDDR5晶体管表征 三星 功能 - 测试 内存 - DRAM SWD和SA晶体管表征
三星12 GB 1Z EUV LPDDR5过程流程分析 三星 过程 记忆 - 过程流程分析