三星K9DUGY8J5C-DCK0 128层3D NAND存储平面分析

产品代码
生产商- 2010 - 802
发布日期
26/11/2020
可用性
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产品项目代码
SAM-K9DUGY8J5C-DCK0
设备制造商
三星
设备类型
快闪记忆体
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内存- NAND & DRAM
通道
内存- NAND平面分析
报告的代码
生产商- 2010 - 802
本报告介绍了三星K9DUGY8J5C-DCK0内部的内存平面图分析三星K9AFGD8U0C。K9DUGY8J5C-DCK0从三星MZ-V8P1T0 SSD 980 PRO PCIe 4.0 NVMe M.2 1tb SSD中提取。
本报告载有下列详细资料:
  • 选定的拆卸照片,包装照片,包装x光片,模具标记,和模具照片
  • 模具介电材料的一般结构、主要特征和晶体管的SEM截面显微图
  • 平面观察SEM显微照片的模具延迟到WL和BL层
  • 测量主要微观结构特征的垂直和水平尺寸
  • 模具延迟到多晶硅层的平面光学显微照片
  • 多晶硅模具照片上主要功能块的识别
  • 功能块尺寸及模具利用率表
  • 高分辨率的顶部金属和多晶硅模具照片交付在电路视觉
  • 模具成本和测试的封装模具,基于对观察过程的制造成本分析

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