联系我们 产品代码 PEF-1811-803 发布日期 20/12/2018 可用性 发表 产品项代码 NVS-NV6117 设备制造商 Navitas Semiconductor 设备类型 GaN电源IC. 订阅 功率半导体 渠道 功率半导体 - 功率要领 报告代码 PEF-1811-803 本报告介绍了Navitas半导体NV6117设备的功率要点分析。 login or register as a guest.">查看目录 对新出现的电力过程半导体产品进行定期，简化分析 基于事实的氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）和硅（Si）的创新，竞争利用硅（Si）的新出现功率半导体技术分析。 了解更多 搜索我们的分析和网站 立即开始搜索我们的图书馆 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 基因G2R120MT33J 3300V 120MΩSICMOSFET电源平面图分析 基因 过程 功率半导体 - 碳化硅（SIC）PloorPlan 高效电源转换EPC2218 100V GaN电源平面图分析 高效电力转换 平面图 功率半导体 - 氮化镓（GaN）Placeplan 东芝TW070J120B 1200V碳化硅（SIC）工艺流程 东芝 过程 功率半导体 - 碳化硅（SIC）工艺流程 东芝TW070J120B 1200V碳化硅（SIC）流程分析 东芝 过程 功率半导体 - 碳化硅（SIC）工艺流程 USEDICER 750V，18MΩGen4 SiC FET Power Essentials 曼 过程 功率半导体 - 功率要领 USEDICER 750V，18MΩGen4 SiC FET电源平面图分析 曼 过程 功率半导体 - 碳化硅（SIC）PloorPlan MicroSemi MSC025SMA120B 1200V SIC POWER PLOSEPLAN分析 微笑 过程 功率半导体 - 碳化硅（SIC）PloorPlan Infineon IM828-XCC 1200 V COOLSIC IPM电源平面图分析 英飞凌 包装 功率半导体 - 碳化硅（SIC）PloorPlan USEDICER 750V，18MΩGen4 SiC FET Process Flow Full 曼 过程 功率半导体 - 碳化硅（SIC）工艺流程 USEDIC 750V，18MΩGen4 SiC FET过程流程分析 曼 过程 功率半导体 - 碳化硅（SIC）工艺流程
