Innoscience INN650D02 650 V增强模式GaN功率场效应晶体管功率要点概述

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产品代码
pef - 2009 - 801
发布日期
26/11/2020
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产品项目代码
IS1-INN650D02
设备制造商
Innoscience
设备类型
氮化镓功率场效应晶体管
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功率半导体元件
通道
电源半导体-电源必需品
报告的代码
pef - 2009 - 801
该报告介绍了Innoscience INN650D02，一个650 V, 200 mΩ，正常开，氮化镓(GaN)功率场效应管的功率基本分析。该器件使用高压功率GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。INN650D02是由TechInsights在东莞瑞恒电子RH-PD65W 65w GaN充电器中找到的。
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