东芝TW070J120B 1200V的碳化硅（SiC）功率要点

本报告介绍了东芝TW070J120B碳化硅（SiC）的功率FET的电源要点（PEF）分析。所述TW070J120B是一个1200V的N沟道增强模式MOSFET具有集成肖特基势垒二极管（SBD）。完整的PEF交付包括观测装置指标和显着特征，通过下面的未注释图像文件夹支持的一个单页的概要：

• 封装的光学照片，封装的X射线图像，管芯的照片，管芯的特征的光学照片
• 扫描电子显微镜（SEM）平面图中的装置的图像delayered到栅级
• 该器件结构的探索性俯视剖视图的SEM图像
• 该掺杂剂结构的详细的横截面扫描微波阻抗显微镜（SMIM）分析
• 对于一个标准的PEF项目的图像集从用于SEM平面分析，对横截面为SEM结构分析单个平面，并为详细的结构分析单个样品SMIM一个delayered样品衍生。附加价值的信息，如对横截面的另外的平面，可以被包括在一个情况下，逐个
  

电源要点交付提供了基本的竞争基准信息，使多个竞争对手的技术的成本效益的跟踪。