在半NVHL080N120SC1 1200V SIC POWER PLOSEPLAN分析

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产品代码
PFR-2010-802
发布日期
24/11/2020
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产品项代码
ONS-NVHL080N120SC1
设备制造商
在半.
设备类型
SIC Power FET.
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功率半导体
渠道
功率半导体 - 碳化硅（SIC）Plo​​orPlan
报告代码
PFR-2010-802
该报告提出了对基于半导体NVHL080N120SC1功率碳化硅（SiC）MOSFET的分析。NVHL080N120SC1是1200 V，N沟道增强模式MOSFET。该器件具有31a和80mΩ的最大连续S / D电流，在25c°和高达132个脉冲处的导通电阻。NVHL080N120SC1主要设计用于电动机和汽车DC / DC转换器的汽车和混合动力车辆的汽车。
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