STMicroelectronics masterergan1600v半桥驱动器与两个e-Mode GaN HEMTs电源平面图

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产品代码
再生能源- 2010 - 804
发布日期
07/12/2020
可用性
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产品项目代码
STM-MASTERGAN1
设备制造商
意法半导体
设备类型
氮化镓功率集成电路
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功率半导体元件
通道
功率半导体-氮化镓(GaN
报告的代码
再生能源- 2010 - 804
本报告介绍了意法半导体masterergan1器件的功率平面图分析。masterergan1具有600 V, 150 m ΩON-resistance半桥电路，带有氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs)， 650 V漏源极击穿电压(V(BR)DS)和硅基双极cmos - dmos (BCD)栅极驱动器[2]。本报告的重点是GaN HEMT的死亡。
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