英飞凌IGT60R190D1S 600v CoolGaN电源平面布置图分析

产品代码
再生能源- 2011 - 802
发布日期
05/02/2021
可用性
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产品项目代码
INF-IGT60R190D1SATMA1
设备制造商
英飞凌
设备类型
氮化镓功率场效应晶体管
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功率半导体元件
通道
功率半导体-氮化镓(GaN
报告的代码
再生能源- 2011 - 802
本报告介绍英飞凌IGT60R190D1S CoolGaN器件的功率平面图分析。IGT60R190D1S是一个600v, 190mΩ通阻氮化镓(GaN)增强模式功率晶体管(正常关闭),采用高电子迁移率晶体管(e-HEMT)技术。

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