SK Hynix H9HKNNNCRMMUYR-NEH 1x LPDDR4X SDRAM晶体管特性

产品代码

tcr - 1905 - 802

发布日期

08/08/2019

可用性

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产品项目代码

HYN-SK8GLPD4E

设备制造商

海力士

设备类型

LPDDR4X

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内存- NAND & DRAM

通道

记忆- DRAM的SWD和SA晶体管的特性

报告的代码

tcr - 1905 - 802

本报告介绍了位于SK Hynix h9hknnncrmmuir - neh LPDDR4X SDRAM的感测放大器和字线驱动器区域的NMOS和PMOS晶体管的关键直流电气特性。SK Hynix H9HKNNNCRMMUYR-NEH取自苹果iPhone XS Max智能手机(型号A1921)。

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