Micron MT53D512M64DFL-046 1y nm 8gb LPDDR4晶体管表征

产品代码
tcr - 1912 - 801
发布日期
10/02/2020
可用性
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产品项目代码
麦克风- mt53d512m64d4fl - 046
设备制造商
美光科技
设备类型
LPDDR4X
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内存- NAND & DRAM
通道
记忆- DRAM的SWD和SA晶体管的特性
报告的代码
tcr - 1912 - 801
本报告介绍了位于微米技术MT53D512M64D4FL-046 LPDDR4 SDRAM Z21M芯片的传感放大器和字线驱动器区域的NMOS和PMOS晶体管的关键直流电气特性。MT53D512M64D4FL-046是从iPhone 11 Pro A2217智能手机中提取的。这是美光的第一个1y纳米低功耗DRAM,每个芯片使用8gb LPDDR4。该模具位密度为0.197 Gb/mm2,单元尺寸为0.002438µm2。

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