美光科技MT62F1G64D8CH-036 WT:一种1y nm 12 Gb LPDDR5 SDRAM晶体管表征

本报告介绍了位于感测放大器和字线驱动器区域的微米技术Y2BM芯片的关键直流电气特性:MT62F1G64D8CH-036 WT:一个LPDDR5 SDRAM。美光的LPDDR5 DRAM提供卓越的能效和更快的数据访问速度，以满足消费者对智能手机中的人工智能(AI)和5G功能日益增长的需求。与前几代相比，该设备的数据访问速度提高了50%，功率效率超过20%。美光的下一代LPDDR5内存旨在满足5G网络的需求，5G网络将于2020年开始在全球大规模部署。美光LPDDR5允许5G智能手机以最高6.4 Gbps的峰值速度处理数据，这对防止5G数据瓶颈至关重要。