CXMT 2X纳米（22纳米）的8 Gb DDR4晶体管特性报告

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产品代码
TCR-2006-801
发布日期
可用性
在创建
商品项目代码
CXT-CXDQ3A8AM-CG
设备制造商
CXMT
设备类型
DDR4 SDRAM
订阅
内存 - NAND及DRAM
渠道
内存 - DRAM SWD和SA晶体管特性
报告码
TCR-2006-801
• The 1st DDR4 DRAM products fabbed from CXMT • The 1st 8 Gb DRAM die from China • 2x tech node (D/R=22nm) used (likely in between Samsung’s 2x and 2y) • Cell size 0.0045 um2 with bit density 0.102 Gb/mm2
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