产品代码
tcr - 2007 - 801
可用性
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产品项目代码
麦克风mt40a4g4jc - 062 e_e
设备制造商
美光科技
设备类型
DDR4更快
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内存- NAND & DRAM
通道
记忆- DRAM的SWD和SA晶体管的特性
报告的代码
tcr - 2007 - 801
本报告介绍了位于微米技术MT40A4G4JC-062E:E DDR4 SDRAM BGA封装内的感测放大器和wordline驱动器区域的NMOS和PMOS晶体管的关键直流电气特性。这是业界第一个商业化的1z纳米DRAM技术节点,具有迄今为止最高的位密度(0.247 Gb/mm2,比微米1y纳米16gb DDR4模增加了25%)和最小的单元尺寸(0.0020µm2,比微米1y纳米缩小了17%)。