联系我们 产品代码 tcr - 2008 - 801 发布日期 可用性 在创建 产品项目代码 山姆- 990 设备制造商 三星 设备类型 应用程序处理器 订阅 逻辑 通道 逻辑-晶体管特性 报告的代码 tcr - 2008 - 801 该产品介绍了三星7LLP第二代finFET高k金属栅极(HKMG) CMOS工艺的晶体管特性，该工艺在三星Exynos 990应用处理器中发现。 login or register as a guest.">查看目录 login or register as a guest.">下载样例报告 一个独特的保险库的信任，准确的数据在您的指尖 我们的分析深入到需要揭示内部工作原理和秘密背后的广泛产品。 了解更多 搜索我们的分析和网站 今天就开始搜索我们的图书馆吧 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 苹果A14工艺流程分析 苹果 过程 逻辑-流程流分析 Intel Lakefield 22FFL工艺流程分析 英特尔 过程 逻辑-流程流分析 台积电S/D架构演进(编校) 过程 逻辑-晶体管结构比较 Intel Gate架构演进(编校) 过程 逻辑-晶体管结构比较 分析简报:逻辑-晶体管特性2020 系统 逻辑-晶体管特性 高通骁龙888 A78 CPU SoC设计分析 Qualcomm 过程 逻辑- SoC设计分析 高通骁龙888 X1 CPU SoC设计分析 Qualcomm 过程 逻辑- SoC设计分析 高通Snapdragon 888 GPU标准单元GDS库分析 Qualcomm 过程 逻辑-标准单元GDS分析 高通骁龙888 X1 CPU标准单元GDS库分析 Qualcomm 过程 逻辑-标准单元GDS分析 Intel Xe GPU DG1数字平面图分析 英特尔 平面布置图 逻辑-数字平面图
