到2023年，预计全球数字存储设备市场将达到141亿美元，通过越来越多地通过数字服务处理的数据。该市场包括用于存储，交换和检索数据的驱动器，如磁驱动器，光驱，固态驱动器，以及当然的闪存驱动器。
市场驱动程序可以简单地说明，但不能简单地解决：我们希望更可靠，更有效地存储更多数据，更少量的空间。这些看似矛盾的需求继续在数字存储中推动创新，例如9倍层范围内的3D NAND内存产品。
继续关注3D NAND空间，我们已经找到或期待找到的最新产品有:三星92L 3D NAND，东芝96L 3D NAND，美光96L, YMTC 32L 3D NAND, SK hynix 4D (PUC) 96L NAND。甚至产品描述也暗示了存储设备市场的行业领导者正在采取广泛的方法。制造商正在使用不同的层数、不同的节点大小、不同的连接和封装技术创造解决方案——将增量修改组合起来，以帮助他们赢得下一个产品的竞争。
随着DRAM市场仍然蓬勃发展，所有主要的DRAM播放器如三星，SK Hynix，Micron和Nanya都渴望开发并释放他们的下一个新的成功缩小一代。前3名DRAM制造商已经通过引入2017年和2018年的1x NM等产品，如三星的1X和1Y LPDDR4X，DDR4和1X GDDR6，如组件，移动和显卡应用程序，如Samsung的1X和1Y LPDDR4X，DDR4和1X GDDR6等产品。DRAM Down-Scaling将在几年内继续。
在新兴的记忆技术方面，我们继续监控一些技术及其主要开发人员，包括：
- MRAM，Stt-MRAM（平面MTJ，P-MTJ）：Everspin，Cacus，Avalanche Tech，Sony，TSMC，三星，微米等。
- pcram（xpoint）：micron，三星，英特尔，IBM等
- Reram（oxram，cbram / m-reram）：横杆，松下，adesto，sk Hynix，tsmc等
- Feram：柏树，Rohm半导体，Celis，kentron等。
在研发方面，厂商也在研究下一代技术，即256层和512层。“这是一种竞赛，”TechInsights分析师崔正东(Jeongdong Choe)说。“这是一场争夺最大栈数的比赛。”
-半导体工程
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