到2023年,全球数码存储设备市场预计将达到$ 1410亿美元,通过数字服务所处理的数据的不断增加的量饲喂。这个市场包括用于存储,交换驱动器,和检索数据,诸如磁驱动器,光盘驱动器,固态驱动器,当然闪存驱动器。

市场驱动因素可以简单地说出来,但不能简单地说出来:我们希望存储更多的数据,更可靠、更高效,并且在更小的空间中。这些看似矛盾的需求继续推动着数字存储领域的创新,比如最近的9x层3D NAND内存产品。

继续看三维NAND空间,我们已经找到了最新的产品或者是希望找到,分别是:三星92L三维NAND,东芝96L三维NAND,美光96L,YMTC 32L三维NAND和SK海力士4D(PUC)96L NAND。即使产品说明书上暗示了各种办法正在采取在存储设备市场的行业领导者。增量修饰的组合,以帮助他们赢得比赛,下一个产品 - 制造商使用不同的层数,不同节点规模,不同粘接和封装技术创建解决方案。

随着DRAM市场依然红火,各大DRAM的球员,如三星,SK海力士,美光和南亚渴望开发和发布他们的下一个新的成功,按比例缩小的一代。顶部3的DRAM制造商已经跳入亚20nm技术节点,通过在2017年和2018年,像三星的1X和1Y LPDDR4X,DDR4和1X GDDR6为组件,移动和图形卡应用引入产品,如1X纳米。DRAM按比例缩小将继续在几年内。

在新兴的内存技术方面,我们将继续关注一些技术及其主要开发者,包括:

  • MRAM,STT-MRAM(面内MTJ,对MTJ):EverSpin的,番红花,雪崩技术,索尼,TSMC,三星,美光等
  • PCRAM (XPoint):美光、三星、英特尔、IBM等。
  • ram (OxRAM, CBRAM/M-ReRAM): Crossbar,松下,Adesto, SK hynix, TSMC等。
  • FeRAM: Cypress, Rohm Semiconductor, Celis, Kentron等。

在研发方面,厂商也在致力于下一代技术,即256层和512层。“这是一种竞赛,”TechInsights的分析师Jeongdong Choe说。“这是一场堆叠最多的比赛。”
-半导体工程

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