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我们的报告解释了在电子电路，软件和制造过程中使用技术实现。它们用于获得有关技术创新的智能，并找到使用证据，证明专利价值为技术，法律和专利专业人员。
我们的晶体管和表征分析允许您：
- 查看过程技术和性能的完整图片
- 了解过程，看表现，发现趋势
- IOFF与IOF和IOFF与ID，LIN的通用曲线;每个通用曲线数据点的传输和输出特征
TechInsights'晶体管特性报告提供了逻辑NMOS和PMOS晶体管的直流电特性分析
该报告包括在-20°C、25°C和80°C测量的关键性能基准的图表和表格测量。也可提供25°C单温度报告。
NMOS和PMOS晶体管的具体直流分析基准包括:
- 线性（VT，LIN）和饱和（VT，SAT）阈值电压
- 驱动电流（ID，SAT）
- 关态电流(IOFF)和栅漏电流(IG)
- 次阈值摆动（S）
- 跨导（GM）
- 电压击穿现象(VPT)
- 过程增益因子（k）
- IDS和VGS图
- IDS与VDS图形
支持数据包括:
- 包照片和包X射线
- 模具照片和模糊标记
- 测量的NMOS和PMOS晶体管的SEM地形图像
- 显示NMOS和PMOS栅极长度的TEM横截面图像
TIPS网络研讨会：分析NAND闪存和SSD设备的技术 - 内部探测，波形分析等
此演示文稿介绍了NAND Flash和SSD设备中的一些创新领域，并概述了我们申请分析这些创新的各种测试方法。
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