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我们的报告解释了电子电路,软件和制造过程中使用的技术实现的。它们被用来获取有关技术创新的智慧和发现使用的证据,证明专利价值的技术,法律和专利专业人员。

我们的晶体管和表征分析,您可以:

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  • 了解过程,看到表现,发现趋势
  • IOFF与ION、IOFF与ID的通用曲线;每个通用曲线数据点的传输和输出特性

晶体管特性

晶体管特性

TechInsights的晶体管特性报告提供分析上的逻辑NMOS和PMOS晶体管的DC电性能

该报告包括在-20、25和80℃测量的关键性能基准的图表和表格测量。还可提供25℃单次温度报告。

NMOS和PMOS晶体管的具体DC分析基准包括:

  • 线性(VT,LIN)和饱和(VT,SAT)的阈值电压
  • 驱动电流(ID,SAT)
  • 断态电流(IOFF)和栅漏电流(IG)
  • 亚阈值摆(S)
  • 跨导(GM)
  • 电压击穿现象(VPT)
  • 过程增益系数(k)
  • IDS与VGS图形
  • IDS与VDS图

支持数据包括:

  • 包装照片和包装x光
  • 模具照片和模具标记
  • 测量的NMOS和PMOS晶体管的SEM地形图像
  • TEM横截面图像显示NMOS和PMOS栅极长度

TIPS网络研讨会:技术分析NAND闪存和SSD设备 - 内部探测,波形分析,以及更多

本报告将探讨NAND闪存和SSD设备的一些创新领域,并概述我们用于分析这些创新的各种测试方法。


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