Memory Technology 2020 and Beyond
NAND、DRAM、新兴和嵌入式内存技术趋势
本次网络研讨会由TechInsights主办
在此次网络研讨会上，崔正东博士将通过TechInsights的反向工程分析，详细介绍最新的NAND、DRAM、新兴技术和嵌入式存储技术。raybet炉石传说
这次演讲包括并排比较了几代内存技术，并深入讨论了最新的发展，包括:
- DRAM单元尺寸缩小至12纳米以下，采用EUV进行DRAM单元图形化
- 图形DRAM和高带宽存储器，如GDDR6(X)和HMB2(E)
- 三星、SK海力士、KIOXIA、西部数据、英特尔/美光等制造商竞相增加垂直3D NAND门的数量
- SK海力士的“147层”技术
- 英特尔的扩展XPoint的SSD和英特尔Optane持久内存
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网络研讨会提纲。
在此次网络研讨会上，崔正东博士将通过TechInsights的反向工程分析，详细介绍最新的DRAM、NAND、新兴技术和嵌入式存储技术。raybet炉石传说
下面几节提供将要讨论的主题的概述。
动态随机存取记忆体
DRAM单元尺寸缩小到15nm设计规则（D/R）及以上已经由三星、美光和SK hynix等主要DRAM厂商生产。现在，他们正在开发n+1和n+2代，即所谓的1a（或1α）和1b（或1β），这意味着DRAM单元D/R可能能够进一步缩小到12 nm以下，采用EUV进行DRAM单元图形化。由于图案、泄漏和传感边缘的挑战，电池设计的缩小速度越来越慢。
图形DRAM和GDDR6(X)、HBM2(E)等高带宽存储器采用20nm或10nm级DRAM技术节点。
智能手机上的相机模组通过在模组中加入低功耗DRAM模组，实现了三模结构。
在先进的DRAM产品中可以看到一些创新，如高k介电材料、柱状电容器、凹沟道LV晶体管和HKMG外围晶体管。
展望DRAM技术发展趋势和研发路线图，未来10年，DRAM规模将继续缩小。
与非门
随着主要的NAND制造商竞相增加垂直3D NAND门的数量，他们都已经推出了自己的96L或128L 3D NAND设备。三星128L V-NAND (V6)、KIOXIA、Western Digital Company (WDC) 96L BiCS4、Intel/Micron 96L/128L和176L FG CuA、SK hynix 128L 4D NAND PUC等产品已经上市。我们将讨论这个领域即将出现的许多创新变化。
除了存储密度之外，3D NAND还应用于高速SSD，如三星Z-SSD和KIOXIA XL-FLASH，具有多平面并行性。
SK海力士的垂直大门达到147个;我们来看看他们和美光的解决方案。
嵌入式和新兴
Intel不仅扩展了传统SSD的XPoint内存应用，还扩展了Intel Optane持久内存，尽管Micron的X100 SSD目前仅适用于插件卡（AIC）。
Everspin公司发布了许多pMTJ MRAM新产品理查德·道金斯第一代，1Gb/芯片@28nm)，雪崩/瑞萨(40nm)和三星/索尼(28FDS)。2 .詹妮弗nd新一代的rairam (CBRAM)产品也在市场上。
路线图
TechInsights还提供了当前和未来的DRAM、NAND和新兴/嵌入式内存技术分析、趋势和路线图——这些内容通常为我们的内存用户保留。
蔡正东博士
Choongdong博士是TechInsights的高级技术研究员。他在半导体行业、DRAM、NAND/NOR闪存、SRAM/逻辑和新兴存储器的研发和逆向工程方面拥有近30年的经验。他为SK Hynix和三星电子工作了20多年。他加入了TechInsights，专注于半导体工艺、器raybet炉石传说件和架构的技术分析。他撰写了许多关于内存技术的文章，包括DRAM技术趋势、2D和3D NAND工艺/设备集成细节，以及新兴内存，如STT-MRAM、XPoint、ReRAM和FeRAM设计和体系结构。他每季度制作并更新广泛分布的DRAM、NAND和新兴内存的内存路线图。
