按需网络研讨会:GaN的电力设备生态系统和IP景观回顾

2020年5月27日星期三/美国东部时间下午2点
主持人:Sinjin Dixon-Warren

电力电子行业正处于转型期。多年来,硅基器件在业界占据主导地位,传统的Si MOSFET晶体管被用于低功率和中频,超级结(SJ) MOSFET器件被用于高频率和高电压,IGBT被用于高功率和低频率。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是最近十年市场上出现的较新的宽带隙(WBG)技术,旨在取代这些硅技术。GaN、SiC和SJ MOSFET技术直接竞争650伏器件,目前尚不清楚哪种技术将最终在这个中间电压水平上主导市场。

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)概念于1991年在美国明尼苏达州明尼阿波利斯的APA光学公司获得专利。美国5192987a是一项仪器(或机器)专利。APA光学公司还申请了第二种方法(或过程)专利US5296395A,该专利描述了GaN HEMT器件的制造。这些专利被重新分配给英飞凌。这两项专利现在都已过期,因此这些概念属于公共领域。通过逆向工程和专raybet炉石传说利分析,我们已经确定了美国APA光学专利us52987a在几个产品中的要求要素,包括GaN系统、Navitas、英飞凌、松下、高效功率转换、Semi、Transphorm和德州仪器。

这个研讨会将回顾650 V 功率MOSFET 生态系统和IP 景观。我们将讨论光的技术  早期  开创性GaN HEMT专利,演示如何显示逆向工程创新。 raybet炉石传说

讨论将包括:

  • 逆向工程的动机raybet炉石传说
  • 氮化镓功率景观
  • 氮化镓如何适应在Si和SiC功率器件市场
  • 早期GaN IP
  • raybet炉石传说逆向工程的结果
  • 针对早期GaN IP的RE结果分析

2020年5月27日,星期三

下午2点。

持续时间1小时

关于主机

主持这次网络研讨会的专家

Sinjin迪克森沃伦

Sinjin迪克森沃伦

高级流程分析师

Sinjin Dixon-Warren是TechInsights的高级过程分析师,拥有超过20年的半导体分析经验,也是电力电子分析的主题专家(SME)。他拥有多伦多大学化学物理学博士学位;他的专业包括半导体物理和器件、材料科学和表面分析化学。

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