5月27日星期三，2020 / 2:00下午ET.
主持：Sinjin Dixon-Warren
电力电子行业处于过渡时期。对于多年的基于硅的设备主导了该行业，具有用于较低功率和中频的传统SI MOSFET晶体管，具有超级接合（SJ）MOSFET器件用于更高的频率和更高的电压，并且IGBT用于高功率和高功率较低的频率。碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）是在过去十年内出现在市场上的较新的，宽的带隙（WBG）技术，其目的是取代这些硅技术。GaN，SIC和SJ MOSFET技术直接竞争650 V设备，目前尚不清楚哪种技术最终将在这种中间电压电平占据市场。
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)概念于1991年在明尼苏达州明尼阿波利斯的APA光学公司根据US5192987A申请专利。US 5192987a是一项仪器(或机器)专利。APA Optics还申请了第二项方法(或工艺)专利US5296395A，该专利描述了GaN HEMT器件的制造。这些专利后来被重新分配给英飞凌。这两项专利现在都已过期，因此这些概念属于公共领域。通过反向工程和专raybet炉石传说利分析，我们在一些产品中确定了APA光学专利US5192987A的权利要求要素，例如GaN Systems、Navitas、Infineon、Panasonic、Efficient Power Conversion、ON Semi、Transphorm和Texas Instruments。
本次网络研讨会将回顾650 V 功率MOSFET 生态系统和IP 景观。我们将讨论的技术 在 的一个 早期的开创性的GaN HEMT专利 ，演示如何逆向工程可以显示创新。 raybet炉石传说
讨论将包括：
- 逆向工程的动机raybet炉石传说
- 氮化镓功率景观
- GaN如何适合SI和SIC电源设备市场
- 早期的Gan IP.
- raybet炉石传说逆向工程的结果
- 鉴于早期GaN IP的RE结果分析
2020年5月27日星期三
下午2点ET.
持续1小时
关于主人
主持本次网络研讨会的专家
Sinjin Dixon-Warren
高级进程分析师
Sinjin Dixon-Warren是一个高级进程分析师，技术人员有超过20年的半导体分析经验，是一个主题专家（中小企业），用于电力电子分析。他在多伦多大学举行了化学物理学博士学位;他的一些特色包括半导体物理和器件，材料科学和表面分析化学。
