按需网络研讨会:GAN的电力设备生态系统与IP景观综述

5月27日星期三,2020 / 2:00下午ET.
主持:Sinjin Dixon-Warren

电力电子行业处于过渡时期。对于多年的基于硅的设备主导了该行业,具有用于较低功率和中频的传统SI MOSFET晶体管,具有超级接合(SJ)MOSFET器件用于更高的频率和更高的电压,并且IGBT用于高功率和高功率较低的频率。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是在过去十年内出现在市场上的较新的,宽的带隙(WBG)技术,其目的是取代这些硅技术。GaN,SIC和SJ MOSFET技术直接竞争650 V设备,目前尚不清楚哪种技术最终将在这种中间电压电平占据市场。

GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)概念于1991年在明尼苏达州明尼阿波利斯的APA光学公司根据US5192987A申请专利。US 5192987a是一项仪器(或机器)专利。APA Optics还申请了第二项方法(或工艺)专利US5296395A,该专利描述了GaN HEMT器件的制造。这些专利后来被重新分配给英飞凌。这两项专利现在都已过期,因此这些概念属于公共领域。通过反向工程和专raybet炉石传说利分析,我们在一些产品中确定了APA光学专利US5192987A的权利要求要素,例如GaN Systems、Navitas、Infineon、Panasonic、Efficient Power Conversion、ON Semi、Transphorm和Texas Instruments。

本次网络研讨会将回顾650 V 功率MOSFET 生态系统和IP 景观。我们将讨论的技术 在 的一个 早期的开创性的GaN HEMT专利 ,演示如何逆向工程可以显示创新。 raybet炉石传说

讨论将包括:

  • 逆向工程的动机raybet炉石传说
  • 氮化镓功率景观
  • GaN如何适合SI和SIC电源设备市场
  • 早期的Gan IP.
  • raybet炉石传说逆向工程的结果
  • 鉴于早期GaN IP的RE结果分析

2020年5月27日星期三

下午2点ET.

持续1小时

关于主人

主持本次网络研讨会的专家

Sinjin Dixon-Warren

Sinjin Dixon-Warren

高级进程分析师

Sinjin Dixon-Warren是一个高级进程分析师,技术人员有超过20年的半导体分析经验,是一个主题专家(中小企业),用于电力电子分析。他在多伦多大学举行了化学物理学博士学位;他的一些特色包括半导体物理和器件,材料科学和表面分析化学。

保持最新的新闻和更新从TechInsights