3月15日，2021年3月15日
Jeongdong崔承哲,TechInsights三星EUV微影制程D1z血液
經過幾個⽉的漫長等待之後,三星電⼦(三星电子)採⽤極紫外光(EUV)微影製程的D1z DRAM終於量產了!
三星电视在长年发行牌号仓业主⾸创，逐时分享到采⽤氟浸润式（ARF-I）制程与euv微影技术的D1z DRAM，⽽TechInsights很兴奋地宣布，我们针对三星更新/最先进d1z dram的拆解分别有⼀些「新发诗，并并了该技术的⼀些细节。
三星电影⼦开发了d1z 8gb ddr4，d1z 12gb lpddr5与16gb lpddr5 dram元件，并号性能更⾼;我们发表概念⾯款（lpddr5）元件元件应⽤于三星在2021年1⽉刚上市的星系S21 5G系列（包括S21 5G，S21 + 5G与S21 UNTRA 5G）智慧型智慧型机中.12GB的LPDDR5晶片被应Galaxy S21超5G的SM-G998B / DS 12GB RAM，16GB的LPDDR5晶片可⾒于S21 5G与S21+ 5G的8GB RAM中。
在D1z技术节点节点，三星的D1z 12GB LPDDR5比比前的D1Y 12GB版本在产量上多了15％，设计设计（D / R）则从（前⼀代d1y制程）17.1奈米，微缩⾄15.7毫米。体体裸晶裸晶减少，从53.53mm2（d1y）缩⼩⾄43.98mm2（d1z），新⼀代晶片比⼀代约缩⼩缩⼩18％。
| 项目 | 三星LPDDR5芯片 | |||
|---|---|---|---|---|
| 内存容量 | 8 GB. | 12 Gb | 12 Gb | 16 Gb |
| 技术节点 | D1Y. | D1Y. | D1Z. | D1Z. |
| 母公司产品的例子 | 小米Mi 10 | 小米Mi 10 | 三星Galaxy S21超5克 |
三星Galaxy S21 / S21 + 5克 |
| DRAM组件示例 | K3LK3K30EM-BGCN | K3LK4K40BM-BGCN. | K3LK4K40CM-BGCP. | K3LK7K70BM-BGCP |
| 模具尺寸 | 39.12毫米2 | 53.53毫米2 | 43.98毫米2 | 61.20毫米2 |
| 位张力（死） | 0.205 Gb /毫米2 | 0.224 GB / mm2 | 0.273 Gb /毫米2 | 0.261 Gb /毫米2 |
| 细胞的大小 | 0.00231µm2 | 0.00231µm2 | 0.00197µm2 | 0.00197µm2 |
| D / R | 17.1纳米 | 17.1纳米 | 15.7纳米 | 15.7纳米 |
| EUV光刻应用 | 不 | 不 | 是（BLP） | 不 |
1：8GB，12GB与16GB的三星D1Y与D1zLPDDR5晶片晶片。
晶片標記為K4L6E165YB的16 gb LPDDR DRAM晶片則是採⽤非EUV技術。三星似乎是在⼀開始同時開發在SNLP(存储节点停机坪)/ BLP(位线垫)採⽤ArF-i與EUV兩種微影技術的D1z LPDDR5,現在則是全⾯以EUV SNLP / BLP微影⽣產D1z LPDDR5。
2019年底,三星發表了採⽤D1x EUV微影技術的100萬個模組樣品,現在已經針對全球DRAM產業與市場推出採⽤EUV微影技術的⼤量⽣產(HVM) DRAM產品。三星電⼦的D1z晶片應該是在韓國平澤市(平泽市)的第⼆條⽣產線製造。
圖1:比較三星的DRAM儲存單元BLP圖案:(a)是不採⽤EUV微影技術的版本,(b)是採⽤EUV微影技術的版本。
在D1z 12 gb LPDDR5元件的製程整合上,三星電⼦只在⼀層光罩上採⽤EUV微影技術,單⼀SNLP(在記憶體單元陣列上)/ BLP(在S /感測放⼤器電路區)的臨界尺⼨(CD /螺距)約40奈米,S / A區域的BLP線寬為13.5奈米。
圖1顯⽰的是三星採⽤ArF-i微影技術的D1z 16 gb LPDDR5晶片(a)與採⽤EUV微影技術的D1z 12 gb LPDDR5晶片(b)的S / a BLP圖案比較。藉由利⽤EUV微影,在S / A區域的BLP線的邊緣粗糙度(边缘粗糙度,l)有所改善,可能也因此減少橋接/短路缺陷。
| 设备 | Micron D1z. | 三星D1z | 三星D1z |
|---|---|---|---|
| 内存容量 | 16 Gb | 12 Gb | 16 Gb |
| 技术节点 | D1Z. | D1Z. | D1Z. |
| 母公司产品的例子 | mt53e1g32d2np - 046 _wt: (LPDDR4) | K3LK4K40CM-BGCP (LPDDR5) | K3LK7K70BM-BGCP（LPDDR5） |
| 模具尺寸 | 68.34毫米2 | 43.98毫米2 | 61.20毫米2 |
| 位张力（死） | 0.234 Gb /毫米2 | 0.273 Gb /毫米2 | 0.261 Gb /毫米2 |
| 细胞的大小 | 0.00204µm2 | 0.00197µm2 | 0.00197µm2 |
| D / R | 15.9 nm. | 15.7纳米 | 15.7纳米 |
| EUV光刻应用 | 不 | 是（BLP） | 不 |
表2:D1z DRAM比⼀比:美光D1z LPDDR4与三星D1z LPDDR5。
逐本美光（微米）的D1z竞争产品（表2），三星的繁体单位（0.00197μm2,美光為0.00204μm2(三)與D / R星為15.7奈米,美光為15.9奈米)尺⼨更⼩。美光D1z p產品是在所有光罩步驟都採⽤ArF-i微影,可能在⼀段時間內都不會採⽤EUV微影,包括D1α與D1β。
图2：三星DRAM（从D3x到D1Z）繁体单位尺⼨尺⼨化趋势。
三星从d3x到d1z的dram繁体单位尺⼨与d / r趋势趋势化分享图2与图3所⽰.dram记忆体主台与d / r微缩近年变得越越，但三星还的D / R缩⼩到15.7毫米，比前⼀代d1y减少了8.2％。
图3：三星DRAM（从D3x到D1Z）设计设计规则化趋势。
三星将继续为下载DRAM产品加入采⽤EUV微影的光谱次数，即预计2021年度产的D1a与2022年满的D1b。
