SK hynix128l 3D NAND内存设计外围

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产品代码
mdp - 2008 - 801
发布日期
09/12/2020
可用性
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产品项目代码
HYN-H25T2TB88E
设备制造商
海力士
设备类型
快闪记忆体
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内存- NAND & DRAM
通道
内存与非与外设设计
报告的代码
mdp - 2008 - 801
以下是SK Hynix H25T2TB88E 128层3D NAND闪存的内存外设设计分析。该器件是一种基于电荷陷阱flash (CTF)设计的TLC与NAND存储器，外围电路采用单元结构(PUC)。SK Hynix H25T2TB88E采用DQS (data strobe)信号，为NV-DDR2/NVDDR3接口提供同步数据DQ的硬件方法。
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