定制内存分析以满足您的需要
巨额的前期研发投资要求客户拥有最新和准确的竞争情报
我们的分析将未知因素量化，帮助您做出明智的决定。我们可以确定将先进内存推向市场的成本，我们研究潜在的市场挑战，以帮助您确定您的风险是什么，我们帮助您确定降低风险的策略。
可用内存-NAND和DRAM订阅
TechInsights内存产品的开发旨在根据您的行业和角色提供您所需的重点技术情报。
DRAM功能分析(MFR)
包括:
- 图像集支持执行摘要
- 工艺节点和铸造标识
- 临界尺寸
- 功能块的总结
- 在CircuitVision中提供堆叠光学顶部金属和多晶硅照片。包括校准测量和注释工具
- 扫描电镜横断面和斜面成像
- 13 - 15报告/年
DRAM: SWD和Sense Amp晶体管特性
包括:
- 晶体管特性报告（TCR）
- IOFF与ION、IOFF与ID的通用曲线，LIN由
- 5个NMOS和5个PMOS子字线驱动器晶体管，在85°C的多个VDD上
- 5个NMOS和5个PMOS传感放大器，在85°C下跨越多个VDD
- 对于每个通用曲线数据点
- 晶体管特性：ID.，坐,我D.，林,我从, VT.，林& VT.，坐，ΔVGSGm、SS、DIBL
- 输出特性
- IOFF与ION、IOFF与ID的通用曲线，LIN由
- 分析报道
- 4报告/年
- 趋势分析
- 4小时支持
DRAM外围设计（MDP）：感测放大器、子字线驱动器
包括:
- 简明分析师的关键设备指标摘要
- 感测放大器电路原理图
- 子字线驱动器电路原理图
- CircuitVision提供的延迟DRAM传感放大器和子字行驱动器的详细堆叠SEM图像。包括校准的测量和注释工具
- 每年约4份报告
DRAM:电路分析
包括:
- 完整的电路分析
- 1 -内存阵列和外设
- 2-地址路径
- 3-数据路径
- 4 -控制块，配置和测试块
- 5 -电压发生器系统
- 分析报道
- 全额2 /年
与非功能分析
包括:
- 分析报道
- 图像集支持执行摘要
- 工艺节点与铸造厂标识
- 临界尺寸
- 功能块摘要
- 堆叠的光学顶部金属和聚芯片在循环中传递，包括校准测量工具
- SEM横截面成像
- 13 - 15报告/年
- 图像集支持执行摘要
NAND外围设计(MDP):页缓冲区，字行驱动程序
包括:
- 简明分析师的关键设备指标摘要
- 页缓冲区电路原理图:解码器、开关和控制器
- 字行驱动电路原理图:译码器和开关
- CircuitVision提供的斜面NAND页缓冲区和字行驱动程序的详细堆叠平面视图SEM图像。CircuitVision包括校准的测量和注释工具
- 每年约4份报告
NAND:电路分析
包括:
- 完整的电路分析
- 1 -内存阵列和外设
- 2-地址路径
- 3-数据路径
- 4 -控制块，配置和测试块
- 5 -电压发生器系统
- 分析报道
- 全额2 /年
与NAND内部波形分析
该通道检查在程序、读和擦除周期期间在NAND存储器单元上使用的波形。
- 在12个月内提交8份报告以及一个在线研讨会
- 提供一个波形摘要PDF和原始波形.sht文件，使客户能够执行进一步的分析和测量
先进工艺
包括:
- 高级内存要素（AME）
- 专注于领先的边缘NAND和DRAM记忆技术
- 执行摘要支持的大型图像集
- 扫描电镜横断面和斜面成像
- TEM-EDS横截面分析
- 8报告/年
- 分析报道
- 按技术要素划分的技术趋势/路线图
- 设计技术交互分析
- 过程集成的详细说明
- 下一个节点的预测
- 3简报/年
- 趋势分析
- 预测
- 1年度研讨会
- 4小时支持
流程流
*需要高级进程订阅
包括:
- 工艺流程分析(PFA)
- 显示流程、架构、掩码列表和集成级流程步骤的电子表格
- 8内存/年
- 流程全仿真(PFF)
- PFA内容可能会更新
- 布局GDS完全分解为过程层
- 3D仿真
- Synopsys输入（路线层甲板）*
*需要Synopsys许可证查看和修改 - 6内存/年
- 分析报道
- 单元设计技术交互分析
- 详细说明从晶圆导入到晶圆输出的过程集成
- 工艺步骤，材料，设备类型，单位过程
- SEM和TEM横截面和俯视图
- 层注释，具体流程模块，假设
- 趋势分析
- + 4小时的支持
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