基于Sandisk/Toshiba SDSQUNI 256gbit 3D NAND闪存的内部波形分析

本报告提供了SDSQUNI-256G-AN6MA组件内部的Sandisk/Toshiba 256gbit TLC (3 bits per cell) 48L 3D NAND闪存的内部波形分析。当设备在多平面模式下工作时，该波形分析提供了编程、读取和擦除闪存单元所需的内部电压的详细信息。在多平面程序、多平面读取和多平面擦除操作中，波形分析测试了主动探头布置的闪光，并记录了被监测信号的电压轨迹。TechInsights已经提取并分析了所需的电路部分，以确定在何处放置所需的测试FIB垫块和定位探针点。FIB pads被放置在闪存模的一个内存平面上的选定信号上，当设备工作在多平面模式时进行测试。

该报告载有一组所获得的波形图和带注释的照片，分为以下几节:

• 体系结构概述
• 多平面波形分析
• 图表
• 测试程序
• 主要发现
• 标准电池