Intel/Micron MT29F512G08EBHBF-R_B Selected块电路分析报告

产品代码

汽车- 2002 - 801

发布日期

28/02/2020

可用性

发表

产品项目代码

MIC-MT29F512G08EBHBFJ4-R_B

设备制造商

美光科技

设备类型

快闪记忆体

存储器- NAND和DRAM

通道

内存- NAND电路分析

报告的代码

汽车- 2002 - 801

以下是美光技术MT29F512G08EBHBF-R_B 96层3D NAND闪存(B27A模具)的CircuitVision分析报告。以下报告载有一套完整的示意图和附有注释的照片，分为以下几节:

我们的分析深入到需要揭示的内部工作和秘密背后的广泛的产品。

了解更多

搜索我们的分析和网站

相关分析	制造商	分析类型	订阅频道
Intel 144L QLC 1Tb 3D NAND外设设计	英特尔	电路	存储器- NAND外设设计
Intel 144L QLC 1Tb 3D NAND高级内存	英特尔	过程	内存,进程
三星K4C8E1K6MX 2nd Gen. 8gb HBM2 DRAM内存平面图分析	三星	平面布置图	内存- DRAM平面图分析
Intel 29F08T2A0CQK1 144L 3D NAND内存平面图分析	英特尔	平面布置图	内存- NAND平面图分析
三星128L 512gb TLC模具内存平面图分析	三星	平面布置图	内存- NAND平面图分析
Intel 1tb 144L QLC 3D NAND内部波形概述	英特尔	其他	内存- NAND内部波形概述
Micron Gen2 1y nm 8gb GDDR6内存平面图分析	美光科技	平面布置图	内存- DRAM平面图分析
三星12gb 1z EUV LPDDR5高级内存精华	三星	过程	内存,进程
三星92L QLC 3D NAND内部波形概述	三星	系统	内存- NAND内部波形概述
三星1x nm 4gb LPDDR4X内存平面图分析	三星	平面布置图	内存- DRAM平面图分析