破坏性技术：TSMC 22ull Emram
TSMC 22ULL EMRAM模具从Ambiq™Apollo4中删除了嵌入式内存的另一种破坏性技术！嵌入式内存（Ememory）上的另一个破坏性产品已经到达并迅速进行了审查！TSMC已成功开发和商业化22 nm
微米176L 3D NAND
NAND内存技术微米B47R 3D CTF CUA NAND DIE，世界上第一个176L（195T）！Micron的176L 3D NAND是世界上第一个176L 3D NAND闪存。TechInsights刚刚找到了512GB 176L死亡（B47R模具标记），并迅速查看了其流程
Micron DDR5 DIMM技术
DRAM内存技术破坏性产品：第一ddr5 DIMM的哪种技术节点？DDR5是新一代的记忆！所有主要的DRAM玩家都向前迈进了更快的DRAM，DDR5。DDR5改善了电源管理（1.1V vs. 1.2V的DDR4）
微米1αDRAM技术
DRAM内存技术MicronD1α，'14 nm'！有史以来最先进的节点！D1α！是14 nm！在快速了解MicronD1α（模具标记：Z41C）和细胞设计之后，它是DRAM上最先进的技术节点。此外，这是第一个
小米11中的高通Snapdragon 888带来了新的5 nm进入市场
2021年2月3日，逻辑破坏性技术下载小米Mi 11中的简短高通Snapdragon 888 888，通过发布Snapdragon 888，带来了新的5 nm进入市场，高通公司与其他5 nm产品竞争
Sony D-TOF传感器在Apple的新LIDAR相机中发现
2021年1月19日，图像传感器破坏性技术Sony D-TOF传感器在2020年代iPad Pro中首次观察到了苹果新的LiDAR相机苹果摄像头摄像头的传感器；正如预期的那样，我们在10月的iPhone 12 Pro中看到了同一部分。行业
SK Hynix 128L 3D PUC NAND（4D NAND）
SK Hynix发布了世界上第一个128层（128L）3D NAND，他们称其为4D NAND。这是他们的第二代Nand Generation使用Cell（PUC）体系结构下的外围建造；第一个是他们的96升nand。在PUC架构中，外围
分析高通公司的Snapdragon SDR865收发器；支持5G低于6 GHz和LTE服务
Snapdragon 865平台是高通公司迄今为止最先进的5G芯片组，支持5G，Sub-6，MMWave和LTE。4G/5G动态频谱共享将使“操作员通过使用现有的4G频谱持有量来加速5G的部署
TechInsights在三星Exynos 990中确认三星的真实7LPP流程
去年，三星宣布将EUV引入他们在Exynos 9825中使用的7LPP流程中。通过分析零件，我们发现他们在9825中的7LPP流程与Exynos 9820中的8LPP流程之间几乎没有差异。现在，我们
三星移动RF组件的最新分析
Shannon 5800 55M5800A01随着行业扩大对5G的使用，三星继续在移动通信技术领域进行创新，包括RF收发器和MMWave的分阶段阵列解决方案以及5G填充的移动处理器
最近的中总部移动RF组件和分析
MT6303P AN10516CW 2.95 x 1.74-180NM移动RF体系结构的复杂性不断增加以支持多个标准，我们正在发现几乎所有新手机版本中的新移动RF组件。在写作时