联系我们 产品代码 pef - 1811 - 803 发布日期 20/12/2018 可用性 发表 产品项目代码 NVS-NV6117 设备制造商 Navitas半导体 设备类型 氮化镓功率集成电路 订阅 功率半导体元件 通道 功率半导体-功率要素 报告的代码 pef - 1811 - 803 本报告介绍了Navitas半导体NV6117器件的功率要点分析。 login or register as a guest.">查看目录 对新兴的功率过程半导体产品进行规范、简洁的分析 使用氮化镓(GaN)和碳化硅(Sic)的新兴功率半导体技术的基于事实的分析，以及创新性、竞争性的硅(Si)使用。 了解更多 搜索我们的分析和网站 今天就开始搜索我们的图书馆 提交 相关分析 制造商 分析类型 订阅频道 GeneSiC G2R120MT33J 3300V 120m ω SiC MOSFET功率平面图分析 诞生的 过程 功率半导体。碳化硅(SiC)布置图 高效功率转换EPC2218 100V GaN电源布置图分析 高效能量转化 平面布置图 功率半导体-氮化镓(GaN)平面布置图 东芝TW070J120B 1200V碳化硅(SiC)工艺流程满 东芝 过程 功率半导体-碳化硅(SiC)工艺流程 东芝TW070J120B 1200V碳化硅(SiC)工艺流程分析 东芝 过程 功率半导体-碳化硅(SiC)工艺流程 UnitedSiC 750V, 18mΩGen 4 SiC FET电源要点 UnitedSiC 过程 功率半导体-功率要素 UnitedSiC 750V, 18mΩGen 4 SiC FET功率平面图分析 UnitedSiC 过程 功率半导体。碳化硅(SiC)布置图 Microsemi MSC025SMA120B 1200V SiC电源平面图分析 Microsemi 过程 功率半导体。碳化硅(SiC)布置图 英飞凌IM828-XCC 1200 V CoolSiC IPM电源平面图分析 英飞凌 包装 功率半导体。碳化硅(SiC)布置图 UnitedSiC 750V, 18mΩGen 4 SiC FET工艺流满 UnitedSiC 过程 功率半导体-碳化硅(SiC)工艺流程 UnitedSiC 750V, 18mΩGen 4 SiC FET工艺流程分析 UnitedSiC 过程 功率半导体-碳化硅(SiC)工艺流程
