对新出现的功率半导体产品进行定期，简化分析。
半导体行业正在使用碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）开发新的电力过程技术，该碳化硅（SiC）较小，氮化镓（GaN），具有较低的损耗和更高的击穿电压。
这个空间的硅（Si）产品非常成熟，但我们继续看到值得注意的创新。此基于订阅的服务可以访问我们对这些尖端产品的分析。
TechInsights的电源订阅产品在高批量应用中进入批量生产时，提供了新出现的功率半导体产品的见解。
可用功率半导体订阅
权力要领（PEF）
包括：
- 年度目标
- 10个PDF报告，支持图像
- 分析报道
- 设备度量和突出功能
- 包X射线和模头
- SEM Plan-View图像和横截面SEM图像
- 横截面TEM图像和材料分析
- 分析师策策
- 三年度分析师简报
- 年度专利景观总结
- 年度车间
- 实时更新
- 在发布之前，进入项目工作（PEF报告，分析师简报等）
碳化硅（SIC）工艺流程
包括：
- 过程流程分析（PFA）
- 显示流程架构，掩码列表和集成级流程步骤的报告（目标：每年4个）
- 流程全仿真（PFF）
- 在PFA报告中提供的细节上展开
- 布局GDS完全分解为过程层
- 提供的PDF报告是使用Synopsys进程资源管理器构建的
- 在Synopsys中操纵报告数据（需要Synopsys许可证）
- 处理流程全仿真报告，支持图像（目标：每年4个）
- 分析师
- 设计技术互动分析
- 通过晶片输出从晶圆的过程集成的详细说明
- 工艺步骤，材料，设备类型，单位过程
- SEM和TEM横截面和顶视图\层注释，特定过程模块，假设
碳化硅（SIC）Placeplan（PFR）
包括：
- PDF报告
- 公司简介
- 执行摘要
- 设备识别：选择的拆除照片（可选），包装照片，包X射线，模具照片，包括模头和粘接垫，以及延迟模头照片
- 工艺分析：模具边缘显示模具厚度，晶体管栅极阵列边缘或管芯密封，晶体管门阵列概述/细节
- 布局分析：注释延时模具照片，模具利用表
- 成本分析
- 图像文件夹
- 包和模具图像
- SEM横截面图像
- 电路支持顶部金属和栅极电平/基板图像
- 15报告/年
氮化镓（GaN）Placeplan（PFR）
包括：
- PDF报告
- 公司简介
- 执行摘要
- 设备识别：选择的拆除照片（可选），包装照片，包X射线，模具照片，包括模头和粘接垫，以及延迟模头照片
- 工艺分析：模具边缘显示模具厚度，晶体管栅极阵列边缘或管芯密封，晶体管门阵列概述/细节
- 布局分析：注释延时模具照片，模具利用表
- 成本分析
- 图像文件夹
- 包和模具图像
- SEM横截面图像
- 电路支持顶部金属和栅极电平/基板图像
- 15报告/年
包分析（PKG）
- 专注于领先的边缘电源包装技术，包括SIC，GaN，电源管理IC（PMIC），智能电源模块，IGBT，SI MOSFET等。
- PDF报告（*内容可能因目标设备而异）
- 公司简介
- 执行摘要
- 产品拆除概述
- 包照片和X射线
- 模具照片
- 光学和SEM包横截面分析
- 选择封装材料的SEM-EDS光谱
- 年度目标
- 10个PDF报告，支持图像
- 8小时的专家领域知识支持
- 分析师
- 2个分析师每年简报
可用的自定义服务
- 产品拆除
- 电力电子产品产品拆除详细分析
- 电源流程流程
- 流程仿真（工艺步骤，工具类型，材料）
- 逐案的工作范围;与我们讨论自定义选项
- 包分析
- 详细包装分析，横截面包分析，SEM成像，SEM EDS材料分析
- 电气表征
- 传输特性（IDVG），输出特性（IDVD），RDSON，击穿电压
- 选择性区域电子衍射
- 基于TEM的基于GAN的外延层的SAED
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