NAND存储器技术Micron B47R 3D CTF Cua Nand Die，世界上第一台176L（195T）！
美光176L 3D NAND闪存是全球首款176L 3D NAND闪存。TechInsights刚刚发现了512Gb 176L模具(B47R模具标记)，并迅速查看了其工艺、结构和模具设计。美光176L 3D NAND是目前最具突破性的技术之一，尤其适用于数据中心、5G、人工智能、云、智能边缘、移动设备等存储应用。美光已经宣布了其性能改进，例如，读延迟和写延迟比96L FG CuA提高了35%以上，比128L CTF CuA提高了25%以上。
TechInsights的NAND＆DRAM记忆专家认为，176层NAND通用闪存存储（UFS）显示膨胀系统设计应用，如：
- 高端旗舰手机
- 移动设备所需的高容量、小尺寸
- 专业工作站
- 超薄笔记本电脑
- 5 g网络速度
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TechInsights的反向工程实验室对176层NAND通用闪存(UFS) 3.1移动解决方案的架构发现
我们撕毁微米3400 1TB SSD（PCIe Gen-4 CSSD NVME 1.4）并获得MT29F4T08EQLEEG8-QB：E（FBGA代码：NY124）。在电路板上打包了两个512GB的设备，可为1TB SSD。3400 SSD采用Micron最新的内部SSD控制器DM02A1，其不同于先前的2300 SSD（96L）和Crucience P5的DM01B2控制器。
美光176层NAND通用闪存模具级成像和规格
图1.微米176L 512Gb TLC模具图像；查看顶部金属和CuA（添加模具标记）
图1显示了顶部金属查看模具，CMOS电路查看模具，和B47R模具标记。与之前128L CTF CuA 512Gb B37R TLC模具相比，由于更高的细胞密度，3D NAND细胞数量增加，页面缓冲/字行开关设计有效缩放，模具尺寸减少了25%。
176L 3D NAND是微米的第二代CTF结构。NAND单元阵列高度（来自源侧选择器到BL的高度，比较）现在大于11μm。每个垂直NAND字符串的选项（STS）和伪字线（DWLS）的总数为195,195t，所谓的，这是3D NAND上有史以来的最高数字（图2）。它们保持双堆叠架构，更换栅极工艺，充电器捕集氮化物（CTN）和阵列CMOS inder and（CUA）技术。
3D NAND市场领导和设备的特征比较
图2。3D NAND播放器和设备的总门数比较
钻头密度达到10.273 Gb/mm2与之前的128L 512Gb TLC模具相比，512Gb TLC模具的尺寸大幅缩小(B37R模具标记，7.755 Gb/mm)2，请参阅TechStream Memory博客；https://app.techinsights.com/blog-post/2070 有关更多详细信息）。这是世界上第一款TLC Micron 512Gb TLC NAND芯片尺寸。
微米128L与新的176L电池结构和比特密度
图3.微米512GB TLC NAND芯片尺寸和位密度趋势，最多可达176L
与Micron 128L相比，新的176L电池结构由两个面板组成，每个面板有88个WLs。BEOL和CuA的互连金属和触点/通道均为128L，垂直通道(VC)孔高度增加到10.6µm。WL和BL方向的3D NAND单元细胞大小保持在0.02µm2，单位电池体积略微降至1.12×10-4μm3.由于闸门节距较小（表1）。
| 装置 | 微米128L 512Gb | 微米176 l 512 gb |
|---|---|---|
| 父产品交货。 | 至关重要的BX500 SSD （2021） |
Micron 3400 1TB SSD （2021） |
| 过程(存储) | CFT（CTN） | CFT（CTN） |
| 活动 | 薄层色谱 | 薄层色谱 |
| 模具标记 | B37R | B47R. |
| 模具尺寸 | 66.02毫米2 | 49.84毫米2 |
| 位密度 | 7.76 GB / mm2 | 10.27 Gb /毫米2 |
| ＃总盖茨（垂直） | 147t. | 195吨 |
| #ivewwls. | 128. | 176 |
| ＃甲板 | 2 | 2 |
| #wls分配了 | 64 + 64 | 88 + 88 |
| ＃金属 | 6 (4W, 1Cu, 1Al) | 6 (4W, 1Cu, 1Al) |
| CMOS体系结构 | CuA | CuA |
| 单位细胞尺寸 | 0.020μm.2 | 0.020μm.2 |
| 晶胞体积 | 1.14 x 104.μm3. | 1.12 x 10.4.μm3. |
| VC高度 (包括选择器) |
8.5μm | 10.6μm |
表1。设备功能对比表，Micron 512Gb 128L与176L
随着细胞闸门的数量超过150L，我们期望有很多挑战，例如替代层堆叠（模具层），WL楼梯优化，垂直通道孔钉蚀刻和ALD层工艺，ONO切割，甲板不列举，牺牲层移除，替换栅极填充，CSL沟槽型材，晶片翘曲和相关工艺均匀性。我们将在成功商业化的176L设备上查看并追踪它们。
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