SK hynix发布了世界上第一个128层(128L) 3D NAND，他们称之为4D NAND。这是他们使用外围单元(PUC)架构构建的第二代NAND;第一个是他们的96L NAND。
在PUC架构中，外围电路堆叠在电池下，导致3D NAND位密度更高，提高性能和容量。这种方法与微米和英特尔的CUA（CMOS电路在单元阵列下）和YMTC的X架（其中外围电路和NAND阵列分别处理，然后是混合粘合）。
SK hynix 128L 3D PUC NAND (4D NAND)分析
下载TechInsights'SK Hynix 128L PUC 3D NAND分析，具有市场概览，新技术概述，分析细节等。
根据我们早期对该新技术的分析，与之前SK hynix 72L/76L P-BiCS和SK hynix 96L PUC相比，我们观察到以下情况:
| SK hynix 72L/76L p - bic | sk hynix 96l puc （4D NAND 1英石将军) |
SK Hynix 128L PUC （4D NAND 2nd将军) |
|
|---|---|---|---|
| 3d nand ver。 | V4 | V5 | V6 |
| #栈 | 2 | 2 | 2 |
| ＃堆积的总盖茨 | 82/86 (不含pcg) |
115. | 147. |
| ＃总活动WLS | 72/76 | 96 | 128. |
| #选择器 | 3个SGSs + 3个SGDs | 7 SGSs + 3 SGDs | 7 SGSs + 3 SGDs |
| 垂直电池效率 （vce）1 |
87.8％/ 88.4％ | 83.5％ | 87.1％ |
| 位密度 | 4.30 Gb /毫米2 | 6.30 Gb /毫米2 | 8.15 GB / mm2（预期的） |
1.VCE: % of # active cell among total gates， (# active WLs)/(#total gates)x100%
- 第一个。4D NAND PUC 96L产品（V5）在硅源板上显示了115个栅极
- 第2代PUC 128L产品(V6)总共使用147个闸，可能包括9个哑字线(DWLs)， 7个选择闸源侧(SGS)和3个选择闸漏侧(SGD)
- 这意味着垂直电池效率提高到87.1%，TLC芯片的内存位密度预计约为8.15 Gb/mm2
通过层数的增加(即76L到96L，现在又到128L)，比特密度的增加正在推动技术边界的发展，毫无疑问，这将使竞争保持在他们的高度。位密度的增加也会影响到NAND内存设计的其他方面，这将使从头开始解决问题变得更具挑战性(即没有公正的第三方洞察)。
TechInsights希望在未来几个月内从所有主要制造商中看到〜128L产品。我们期待分析和比较不同的解决方案。
