2021年3月23日
Jeongdong Choe博士Kioxia的新XL-Flash用于超低延迟NAND应用
我们刚刚发现了一个新的XL-Flash产品，具有来自Kioxia的96L BICS4 NAND Cell架构。根据Kioxia的说法，XL-Flash是极低的延迟，高性能闪存，基于3D BICS NAND架构和技术。与Samsung Z-NAND（Z-SSD）一样，它旨在解决现有DRAM和NAND闪存之间的性能差距，这意味着XL-Flash被分类为存储类内存（SCM）。三星已经推出了一些用于超低延迟应用的Z-SSD产品，983个Zet和SZ985，内置于具有单级单元（SLC）模式的改进的3D V-NAND设计。
KIOXIA XL-FLASH的主要特点包括128gb芯片、SLC模式、16平面芯片设计、兼容FLASH协议和4KB的页面大小以适应内存层次中的单片机应用。我们一直在分析的DapuStor H3900是企业SSD (eSSD)产品之一，海深3- xl，基于KIOXIA XL-FLASH技术。H3900 SSD用于数据缓存和加速、内存数据库、AI和大数据等SCM，类似于英特尔Optane存储和三星Z-SSD今天的情况……
Jeongdong Choe博士，高级技术研究员
济东博士是TechInsights的高级技术研究员。他在DRAM，NAND / NOR闪存，SRAM /逻辑和新兴记忆中拥有近30年的半导体行业，R＆D和逆向工程经验。raybet炉石传说他为SK Hynix和Samsung Electronics工作了20多年。他加入了TechInsights，并一直专注于半导体过程，装置和架构的技术分析。他在内存技术中写了许多文章，包括DRAM技术趋势，2D和3D NAND流程/设备集成细节，以及STT-MRAM，XPoint，Reram和Feram设计和架构等新兴内存。他季刊在DRAM，NAND和新兴记忆中产生了广泛的分布式内存路线图。
