GaN USB-C充电器市场在2021年升温

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GaN USB-C充电器市场在2021年升温

氮化镓(GaN)的高功率USB充电器用于智能手机,平板电脑和笔记本电脑是电力电子市场的不断增长的区域。TechInsights在过去几年中一直在监测这个市场(请参阅下面列出的参考文献),我们现在看到了基于GaN的主要设备制造商(OEM)的充电器。自苹果决定释放iPhone 12以来,市场正在进一步推动没有充电器。由TechInsights观察到的初始设计赢得了基于Navitas Semiconductor参考设计,并由小型启动UPS和踢初级供应商生产。电力集成设计胜利也被发现。在这篇简短的文章中,我们将审查TechInsights Labs的最近结果,以获得几种不同的USB-C充电器。这里讨论的每个充电器的一套完整的拆除图像可以找到分析师Dropbox

mdi -12- eq 55w GaN USB-C充电器mdi -12- eq

的小米MDY-12-eqwas released in late 2020 and is capable of a maximum of 11 V at 5 A or 55 W. The TechInsights’ sample was procured on January 8, 2021. This USB-C charger was found to contain the Navitas Semiconductor NV6115. The full list of components found inside the MDY-12-EQ is listed在这里在分析师下拉箱中。

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Minix Neo P1 66 W GaN USB-C充电器

MINIX NEO P1是一个66 W 3端口GaN的充电器。它具有USB-C和USB-A Ports TechInsights的样本于2020年12月30日采购。Minix是在香港九龙湾。MINIX NEO P1充电器包含Innoscience Inn650D02 Gan的电源FET。完全分析650 V Innoscience Inn650D02是可用的发给TechInsights Power Essentials订户。本文列出了NEO P1内部发现的组件的完整列表在这里在分析师下拉箱中。

On Hop5334A摩天轮63 W USB-C充电器

ON HOP5334A摩天轮是中国的63 W MAX USB-C充电器。它具有USB-C和USB-A充电端口。TechInsights的样本是在2021年2月17日采购的。发现ON HOP5334A含有GAN Systems GAS-065-011-1-L基于GaN的电力FET。电力平面图分析GS-065-011-1-L可用于TechInsights GaN Power Placeplan订阅者。列出了Hop5334A内部发现的组件列表在这里在分析师下拉箱中。

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戴尔PA901C 90w USB-C充电器

90w戴尔PA901C USB-C充电器专为笔记本电脑充电而设计。它具有USB-C和USB-A端口。TechInsights的样品于2021年2月12日获得。PA901C被发现含有两个Navitas Semiconductor NV6117 GaN电源ic。权力的必需品分析在TechInsights Power通道中作为示例报告提供NV6117。PA901C内部组件的完整列表被列出在这里在分析师下拉箱中。

结束语

本文所讨论的四种充电器的技术指标,包括估计功率密度,总结如下表。小米和MINIX充电器提供最高的功率密度,为12.6 W/in3.。小米和Dell充电器基于Navitas Semiconductor的GaNfast电源IC技术,而on充电器基于GaN Systems技术,MINIX基于Innoscience技术。

制造商 充电器模型 权力(w) X(毫米) Y(毫米) Z(毫米) 体积(mm.3. 功率密度(W /3. 重量(g) 功率密度(W / g)
小米 MDY-12-eq 65. 68.6 42. 29.3 84419. 12.6 99.5 0.65
min NEO P1 66. 52.9 52.9 30.7 85911 12.6 113.4 0.58
hop5334a. 63. 74.7 65. 61. 296186 3.5 337.4 0.19
戴尔 PA901C 90. 129.8 65.8 21.8 186190 7.9 356.3 0.25

参考


Sinjin Dixon-Warren,高级过程分析师

Sinjin Dixon-Warren是一个高级进程分析师,技术人员有超过20年的半导体分析经验,是一个主题专家(中小企业),用于电力电子分析。他在多伦多大学举行了化学物理学博士学位;他的一些特色包括半导体物理和器件,材料科学和表面分析化学。

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