2021年2月4日,
博士博士选择三星D1Z LPDDR5 DRAM与EUV光刻（EUVL）
终于!经过几个月的等待，我们终于看到三星电子将极紫外(EUV)光刻技术应用于D1z DRAM的大规模生产!去年年初，三星电子宣布世界上第一个开发基于ArF-i的D1z DRAM和应用D1z DRAM的EUV光刻(EUVL)。TechInsights很兴奋，我们终于找到并确认了三星新的和先进的D1z DRAM设备和这项技术的细节。
三星电子已经开发了他们的D1z 8gb DDR4, D1z 12gb LPDDR5, 16gb LPDDR5 DRAM设备以及更高的性能。我们在三星Galaxy S21 5G系列中发现了D1z 12gb和D1z 16Gb LPDDR5芯片;S21 5G、S21+ 5G和S21 Ultra 5G于2021年1月发布。
三星D1Z 12 GB LPDDR5芯片用于三星Galaxy S21超5G 5G SM-G998B / DS 12GB RAM，而D1Z 16 GB LPDDR5芯片可从S21 5G和S21 + 5G 8 GB RAM组件找到....
博士博士选择，高级技术研究员
Jeongdong Choe博士是TechInsights的高级技术研究员。他在半导体行业有近30年的经验，在DRAM, NAND/NOR闪存，SRAM/逻辑和新兴存储器的研发和逆向工程。raybet炉石传说他在SK海力士和三星电子工作了20多年。他加入TechInsights，一直专注于半导体工艺、器件和架构的技术分析。他写过许多关于内存技术的文章，包括DRAM技术趋势，2D和3D NAND进程/设备集成细节，以及新兴的内存，如STT-MRAM, XPoint, ReRAM和FeRAM设计和架构。他每季度生产和更新一个广泛分布的内存路线图DRAM, NAND和新兴内存。
