市售逻辑设备中的ALD / ALE过程
2018年,介绍了新一代逻辑产品,以其10nm代微处理器的英特尔为单行的FinFET晶体管,其次是TSMC和三星,与他们的7个NM节点设备。
该呈现在原子层沉积/原子层蚀刻(ALD / ALE)过程中检查了我们在这些逻辑技术的演变期间看到的一些不同结构,特别是最新的7nm和10nm器件。我们还讨论了通过逆向工程观察到的ALD / ALE技术的几个历史应用,并且我们突出了ALD / ALE进程在高级逻辑设备中的重要性。raybet炉石传说在许多情况下,如果没有实现ALD / ALE,该技术就无法提前。
rajesh krishnamurthy
高级分析师
Rajesh Krishnamurthy是一家基于加拿大渥太华的靠近工程公司的TechInsights高级分析师。raybet炉石传说TechInsights分析了广泛的设备,使Rajesh在半导体生产现实世界中概述了什么技术。
Rajesh于1998年毕业于加拿大伦敦西部大学的材料工程博士学位。Rajesh拥有20多年的经验,作为分析师,专注于半导体过程开发,以及半导体材料和器件的研发。他于2006年加入了TechInsights团队。
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