来自富士通的新和高级纪念日

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博客细节2021年3月9日博客细节Jeongdong Choe博士

来自富士通的新和高级纪念日

我们一直在分析来自富士通半导体的新RERAM产品。富士通8 MB MB85AS8MT是世界上最大的密度,作为独立的批量生产的Reram产品。MB85AS8MT是一种非易失性的新出现内存,具有SPI-接口,其具有宽范围的电源电压为1.6V至3.6V。该RERAM存储器的一个主要特征是在典型5MHz的工作频率下读取操作的极小平均电流。富士通采用了一个新的45 nm CMOS过程,与之前的MB85AS4MTPF RERAM产品相比

富士通,松下,Dialog (Adesto), Crossbar, TSMC, UMC和英特尔是在ReRAM市场的主要玩家,预计在未来将以显著的速度增长。Dialog (Adesto)的ReRAM产品,也就是所谓的CBRAM, RM33系列,我们在几年前的TechInsights分析中使用了130 nm CMOS工艺,这是最小的技术节点和单元尺寸(0.496µm)2),但富士通现在生产的45nm节点的ReRAM产品....


Jeongdong Choe博士,高级技术研究员

济东博士是TechInsights的高级技术研究员。他在DRAM,NAND / NOR闪存,SRAM /逻辑和新兴记忆中拥有近30年的半导体行业,R&D和逆向工程经验。raybet炉石传说他为SK Hynix和Samsung Electronics工作了20多年。他加入了TechInsights,并一直专注于半导体过程,装置和架构的技术分析。他在内存技术中写了许多文章,包括DRAM技术趋势,2D和3D NAND流程/设备集成细节,以及STT-MRAM,XPoint,Reram和Feram设计和架构等新兴内存。他季刊在DRAM,NAND和新兴记忆中产生了广泛的分布式内存路线图。

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