崔正东，高级技术研究员
崔正东博士是TechInsights的高级技术研究员，拥有近30年的DRAM、(V)NAND、SRAM和逻辑器件的半导体工艺集成经验。他定期为TechInsights Memory的订阅者提供博客内容。
崔正东博士是TechInsights的高级技术研究员，拥有近30年的DRAM、(V)NAND、SRAM和逻辑器件的半导体工艺集成经验。他定期为TechInsights Memory的订阅者提供博客内容。
2020年9月25日
TechInsights终于找到了Avalanche 40 NM PMTJ STT-MRAM器件，并刚刚发射了深入的分析。STT-MRAM仍然是一个有前途的新记忆技术，具有非常高的属性，包括非常高（20多年）的耐久性。已经使用三星，索尼，everspin，雪崩，瑞萨，TSMC，UMC和诸如MRAM播放器（如三星，索尼，Everspin，valanche，Renesas，TSMC，UMC和英特尔（图1，MRAM / STT-MRAM技术和产品路线图）
Renesas M3008204串行外设接口持久性存储器(Avalanche die，如图2和图3所示)上使用的STT-MRAM单元设计和结构显示了40 nm的p-MTJ层，细胞大小为0.032µm2。MRAM层位于M1源线下，在Contact-1和Contact-2之间，与三星和Everspin相比非常独特。表1是对MRAM技术的简要总结和比较。
