DRAM内存技术micrond1α，'14 nm'！DRAM上最先进的节点！
D1α！这是14纳米！快速看MicronD1α模具（模具标记：Z41C）和单元设计，它是目前DRAM上最先进的技术节点。此外，它是第一个小于15nm单元集成DRAM产品。来自MT40A1G8SA-062E的Micron Z41C芯片:R (FBGA代码:D8BPJ)是采用Micron D1α技术的最先进的8gb DDR4-3200(数据速率= 3200 MT/s) SDRAM。美光公司称，与D1z相比，它的密度提高了40%，设计效率提高了约10%。
TechInsights'记忆专家认为，MicronD1α（1-alpha），'14 nm'显示膨胀系统设计应用，如：
- 先进的移动平台
- 企业服务器
- 客户系统
- 网络基础设施
- 存储连接
- 人工智能和机器学习
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美光公司的D1α DRAM产品采用ArF-i光刻技术，不采用EUVL光罩
虽然D1Y和D1Z DRAM DDR4 / LPDDR4 / LPDDR5产品是市场上的主要产品，但Micron成功开发并开始运输D1αDRAM芯片，自2012 Q2020以来（图1）。MicronD1α过程集成技术和设计/性能一直在吸引大量的公众注意力，因为D1α一代将是第一个Sub-15nm Cell设计。此外，Micron的D1αDRAM产品使用基于ARF-I的光刻，无需EUVL Photomask应用，这与Samsung的Euvl战略在DRAM缩放上完全不同。
图1.微米DRAM技术路线图。Micron在2021年延长D1α体积产生。
D1αDRAM设备分析和竞争规范
鉴于模具容量和模具尺寸（25.41毫米2），位密度为0.315 GB / mm2这是行业最高的迄今为止最高的DRAM密度。以前的D1Z DDR4 DRAM来自工业的死亡率0.299 GB / mm2（三星8 GB非EUVL D1Z DDR4），0.247 GB / mm2(Micron 16 Gb D1z DDR4)， 0.296 Gb/mm2（SK Hynix 16 GB D1Z DDR4 C-Die），这意味着微米从D1Z增加〜28％的比特密度。
从单元尺寸趋势，如图2所示，DRAM单元尺寸已缩小并打开。蓝色方形显示三星，灰色圆圈显示微米的DRAM细胞尺寸。直到D1X一代，三星和微米之间，他们有一点技术差距，总是三星为每一代带来微米。然而，对于D1Y的一代，差距变得更大，所有大三大公司都表现出与D1Z生成相同的细胞大小。最近，Micron成功地赶上了Samsung的D1z生成，并且在今年的市场上已经推出了他们的新产品和先进的D1α发电产品。我们发现和快速观看的微米D1α发电单元设计，细胞尺寸测量1,672 nm2，这是DRAM最新的最小的单元格大小。
图3显示了D2X通过D1α的微米DRAM单元D / R收缩比率趋势。微米保持0.87多年，但对于微米D1Z和D1α，每个缩小因子增加到0.92和0.9。在DRAM上缩小细胞大小越来越难。
图2.三大球员的DRAM细胞大小趋势;三星，SK海力士和微米，D3x通过D1α
图3.微米DRAM细胞收缩比率趋势，D2x通过D1α
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